0
Samsung: áttörések a memóriatechnológia területén
2006. szeptember 11. 16:57
A Samsung ma két áttörő bejelentést is tett a memóriatechnológiák területén. A dél-koreai vállalat a világon elsőként gyártott le 40 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiával flash-memóriachipet, valamint bemutatta phase-change technikára alapuló memóriáját is, amely gyökeresen eltérő elven működik a jelenlegi flash vagy DRAM-típusokhoz képest.