Szerző: Bizó Dániel

2006. szeptember 11. 16:57

Samsung: áttörések a memóriatechnológia területén

A Samsung ma két áttörő bejelentést is tett a memóriatechnológiák területén. A dél-koreai vállalat a világon elsőként gyártott le 40 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiával flash-memóriachipet, valamint bemutatta phase-change technikára alapuló memóriáját is, amely gyökeresen eltérő elven működik a jelenlegi flash vagy DRAM-típusokhoz képest.

HIRDETÉS

[HWSW] A Samsung ma két áttörő bejelentést is tett a memóriatechnológiák területén. A dél-koreai vállalat a világon elsőként gyártott le 40 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiával flash-memóriachipet, valamint bemutatta phase-change technikára alapuló memóriáját is, amely gyökeresen eltérő elven működik a jelenlegi flash vagy DRAM-típusokhoz képest.

Hwang törvénye

A 40 nanométeres eljárással, amely révén a jelenleg tömegtermelésben használt legfejlettebb 70 nanométeres technológiánál hatszor finomabb struktúrák alakíthatóak ki, lehetővé vált a 32 gigabites NAND-típusú flashmemória előállítása is, melyből akár 64 gigabájt kapacitású kártyák is is építhetőek lesznek -- valamikor 2008-ban. A Samsung szerint az általa alkalmazott technikák révén képes lesz 20 nanométeres eljárásig skálázni a hagyományos NAND flashmemóriákat, amikor is lehetővé válik 256 gigabites, azaz 32 gigabájtos, körömméretű chipek létrehozása is.

Míg a logikai áramkörök (például processzor) esetében Moore törvényére hivatkoznuk, addig a memóriák világában a Samsung önjelölt módon Hwang törvényét emlegeti. Hwang Csang-gju a Samsung Electronics elnök-vezérigazgatója és elnöke, aki négy évvel ezelőtt állapította meg, hogy a flash-memóriachipek kapacitása évente megduplázódik. Mint tudjuk az inteles Gordon Moore szerint a félvezetőtechnológia fejlődésével másfél-kétévente lehetséges megduplázni az integrált tranzisztorok számát.

Hwang törvénye az utóbbi hét év során láthatóan működik, és a vállalat a miniatürizáció további szüntelen folytatódását ígéri. Az ezredfordulón a legnagyobb kapacitású flash-chipek még csak 256 megabitet voltak képesek tárolni, azaz 32 megabájtot. Egy 32 gigabites memórialapka (4 gigabájt) 128-szor nagyobb tárhelyet nyújt, igaz, megjelenéséig még két évet várni kell. Ez a szakadatlan fejlődés teszi lehetővé az mp3-lejátszók, digitális fényképezőgépek sikerét, valamint fogja sok területről kiszorítani a merevlemezeket, így például a notebookok nagy részéből.

Az új trónkövetelő: PRAM

A miniatürizáció mellett a Samsung közölte, hogy elkészült az ún. phase-change memória prototípusával, amely jó eséllyel pályázhat a jelenleg alkalmazott memóriatechnológiákat leváltó pozícióra. A phase-change az állapotváltozásra utal, arra, hogy íráskor megváltozik a hordozóanyag kristályszerkezete, ami befolyásolja annak elektronikus vezetési tulajdonságait. Ezt a változást időben és térben rendkívül kocentráltan fellépő hő okozza, amely akár 5 nanoszekundum alatt is végbemehet a mai technológiai színvonalon.

A magas elektronikai ellenállású állapot jelentheti az 1-est, az alacsony pedig a 0-t, ez persze felcserélhető. A fejlesztő vállalatok a különféle hordozóanyagokkal kísérleteznek, hiszen minél alacsonyabb energiával és minél gyorsabban véghezvihető ez az anyagbeli állapotváltozás, annál alacsonyabb fogyasztású és gyorsabb memóriachipeket kapunk. Ha jelenség arra a fizikai jellemzőre épül, az anyagok másmilyen kristályszerkezetbe rendeződnek, ha az olvadás pont feletti vagy alatti állapotból hűlnek ki. A PRAM-mal, azaz a phase-change rammal kapcsolatos technológiával kapcsolatban már negyven éve folynak a kutatások.

A PRAM lehet az egyik kiút a memóriagyártók számára a fokozódó miniatürizációs problémákra, mivel tranzisztor helyett diódákat alkalmaz, és sokkal kisebb memóriacellák építhetőek belőle. A PRAM harmincszor gyorsabb a hagyományos flash-memóriáknál, miközben szintén megőrzi állapotát, ráadásul tízszer több írási ciklussal kecsegtet. A PRAM-mal kapcsolatos kutatások többek között a DRAM leváltásával is foglalkoznak, ehhez azonban tovább kell fokozni mind a sebességet, mind az elviselt írási ciklusok számát. A Samsung által legyártott 512 megabites PRAM-chip egyelőre prototípus mindössze, a technológia általános alkalmazása a következő évtizedre tehető.

A Beckhoff ultrakompakt, C6025 típusú ipari PC az Intel Core i processzorcsalád nagy számítási teljesítményével rendelkezik, ventilátor nélküli, kisméretű kivitelben. A rendkívül alacsony fogyasztású, új Intel Core i U processzorok teszik mindezt lehetővé.

a címlapról

Hirdetés

Csúcstechnológia pár koppintással: ezt tudja a Huawei nova 9

2021. december 4. 14:17

Manapság egyre-másra jelennek meg olyan új mobilok, amelyek hihetetlen funkciókat ígérnek, de ezeket szinte műszaki diplomával lehet csak előcsalogatni. A HUAWEI nova 9 igazi ereje abban rejlik, milyen egyszerű előcsalogatni a mobil tudását.