0
Félvezetőipari áttörés: 25 nanométeres csíkszélesség érhető el egy új eljárással
2008. július 10. 15:43
A Massachussetts Institute of Technology (MIT) kutatói jelentős áttörést értek el a félvezetők gyártásához használt litográfia területén: egy új eljárás a segítségével 25 nanométeres csíkszélességet értek el. Összehasonlításképp: a jelenleg tömegtermelésben használt legmodernebb eljárás 45 nanométeres csíkszélességet alkalmaz.