Szerző: Koi Tamás

2020. december 7. 14:07

Rekorder NAND flash áramkört fejlesztett az SK Hynix

Új technológiai mérföldkőhöz ért az okostelefonokban és SSD-kben használatos NAND chipek terén a koreai SK Hynix: a cég befejezte az első, 176 rétegű 4D NAND flash áramkör fejlesztését.

A jelenlegieknél lényegesen gyorsabb és nagyobb kapacitású SSD-k építésére lesznek alkalmasak a gyártók az SK Hynix új 4D NAND flash technológiájának használatával, melynek fejlesztését most zárta le a dél-koreai cég. A vállalat szerint a 176 rétegű flash az iparágban jelenleg hozzáférhető legnagyobb bitsűrűséget biztosítja majd.

skhynix_nand

Színfalak mögött: így épül egy szoftverfejlesztő iroda

Betekintést nyújtunk olyan folyamatokba, melyek sokszor teljesen láthatatlanok a munkavállalók számára.

Színfalak mögött: így épül egy szoftverfejlesztő iroda Betekintést nyújtunk olyan folyamatokba, melyek sokszor teljesen láthatatlanok a munkavállalók számára.

Az új fejlesztés az SK Hynix 4D NAND flash technológiájának harmadik generációja, mely átlagosan 20%-kal gyorsabb cellaolvasási időt és 33%-kal nagyobb adatátviteli sebességet ígér az előző generációhoz képest. Az új technológiára épülő első NAND flash chipek a tervek szerint először az okostelefonokban jelenhetnek meg valamikor a jövő év első felében, míg az első SSD-kbe várhatóan 2021 közepétől juthatnak el az új generációs chipek.

 

A kraftie a HWSW IT-karrierrel foglalkozó, immár sok tízezer IT szakembert mozgató meetup- és podcast-sorozata. Mostantól pedig már egy hírlevél is! Iratkozz fel Te is, ha szeretnél heti egyszer egy rövid, de értékes karrierfókuszú tartalmat kapni.

a címlapról