Szerző: Koi Tamás

2020. december 7. 14:07

Rekorder NAND flash áramkört fejlesztett az SK Hynix

Új technológiai mérföldkőhöz ért az okostelefonokban és SSD-kben használatos NAND chipek terén a koreai SK Hynix: a cég befejezte az első, 176 rétegű 4D NAND flash áramkör fejlesztését.

A jelenlegieknél lényegesen gyorsabb és nagyobb kapacitású SSD-k építésére lesznek alkalmasak a gyártók az SK Hynix új 4D NAND flash technológiájának használatával, melynek fejlesztését most zárta le a dél-koreai cég. A vállalat szerint a 176 rétegű flash az iparágban jelenleg hozzáférhető legnagyobb bitsűrűséget biztosítja majd.

skhynix_nand

Éles a modern webfejlesztés és CI/CD meetupjaink programja!

December 29-30-án folyatódik a HWSW online meetup-sorozata.

Éles a modern webfejlesztés és CI/CD meetupjaink programja! December 29-30-án folyatódik a HWSW online meetup-sorozata.

Az új fejlesztés az SK Hynix 4D NAND flash technológiájának harmadik generációja, mely átlagosan 20%-kal gyorsabb cellaolvasási időt és 33%-kal nagyobb adatátviteli sebességet ígér az előző generációhoz képest. Az új technológiára épülő első NAND flash chipek a tervek szerint először az okostelefonokban jelenhetnek meg valamikor a jövő év első felében, míg az első SSD-kbe várhatóan 2021 közepétől juthatnak el az új generációs chipek.

 

a címlapról