:

Szerző: Koi Tamás

2020. december 7. 14:07

Rekorder NAND flash áramkört fejlesztett az SK Hynix

Új technológiai mérföldkőhöz ért az okostelefonokban és SSD-kben használatos NAND chipek terén a koreai SK Hynix: a cég befejezte az első, 176 rétegű 4D NAND flash áramkör fejlesztését.

A jelenlegieknél lényegesen gyorsabb és nagyobb kapacitású SSD-k építésére lesznek alkalmasak a gyártók az SK Hynix új 4D NAND flash technológiájának használatával, melynek fejlesztését most zárta le a dél-koreai cég. A vállalat szerint a 176 rétegű flash az iparágban jelenleg hozzáférhető legnagyobb bitsűrűséget biztosítja majd.

skhynix_nand

A hazai IT felrázásához haza kell hozni a legjobbjainkat

Az elvándorolt szakemberek visszacsábítása komoly kihívás, azonban számos ország már megmutatta, hogy ez nem lehetetlen feladat.

A hazai IT felrázásához haza kell hozni a legjobbjainkat Az elvándorolt szakemberek visszacsábítása komoly kihívás, azonban számos ország már megmutatta, hogy ez nem lehetetlen feladat.

Az új fejlesztés az SK Hynix 4D NAND flash technológiájának harmadik generációja, mely átlagosan 20%-kal gyorsabb cellaolvasási időt és 33%-kal nagyobb adatátviteli sebességet ígér az előző generációhoz képest. Az új technológiára épülő első NAND flash chipek a tervek szerint először az okostelefonokban jelenhetnek meg valamikor a jövő év első felében, míg az első SSD-kbe várhatóan 2021 közepétől juthatnak el az új generációs chipek.

 

a címlapról