0
A Texas Instruments egy 4 Mbites, 65 nanométeres csíkszélességű SRAM cellát gyártott
2004. március 23. 10:49
A Texas Instruments tegnap bejelentette, hogy következő generációs, 65 nanométeres cskíszélességű gyártástechnológiájával egy 4 Mbit kapacitású SRAM cellát készített. A vállalat tervei szerint az első, 65 nanométeres alkatrészek gyártása 2005 elején indulhat meg, a sorozatgyártás kezdete azonban csak a jövő év második felében várható. A 65 nanométeres csíkszélességű eljárás pontos leírását egy júniusi konferencián teszi közzé a cég.