0
Az eddigieknél kisebb és kevesebbet fogyasztó magnetorezisztív memóriát fejlesztettek ki kínai kutatók
2007. március 12. 14:23
Kínai kutatók elkészítették az 1950-es és 1960-as as években már használt ferritgyűrűs memória nanováltozatát, amely áttörést jelenthet az MRAM (magnetorezisztív RAM) technológia területén. Az MRAM kapcsán felmerülő legnagyobb probléma ugyanis a cellák nagy mérete és fogyasztása, a Han Hsziu-feng professzor vezetésével dolgozó csapatnak ezeket sikerült jelentősen csökkentenie.