:

Szerző: Bodnár Ádám

2007. március 12. 14:23

Az eddigieknél kisebb és kevesebbet fogyasztó magnetorezisztív memóriát fejlesztettek ki kínai kutatók

Kínai kutatók elkészítették az 1950-es és 1960-as as években már használt ferritgyűrűs memória nanováltozatát, amely áttörést jelenthet az MRAM (magnetorezisztív RAM) technológia területén. Az MRAM kapcsán felmerülő legnagyobb probléma ugyanis a cellák nagy mérete és fogyasztása, a Han Hsziu-feng professzor vezetésével dolgozó csapatnak ezeket sikerült jelentősen csökkentenie.

[HWSW] Kínai kutatók elkészítették az 1950-es és 1960-as as években már használt ferritgyűrűs memória nanováltozatát, amely áttörést jelenthet az MRAM (magnetorezisztív RAM) technológia területén. Az MRAM kapcsán felmerülő legnagyobb probléma ugyanis a cellák nagy mérete és fogyasztása, a Han Hsziu-feng professzor vezetésével dolgozó csapatnak ezeket sikerült jelentősen csökkentenie.

Az MRAM -- a rég elfeledett ferromágneses memóriához hasonlóan -- elektromos töltések helyett mágneses mezőt használ az egyes bitek tárolására. Az MRAM "nem felejt", azaz kikapcsolás után is megőrzi a tartalmát -- hasonlóan a flash memóriához --, az írási és olvasási sebessége ugyanakkor a villámgyors SRAM-okéval vetekszik, lényegesen felülmúlva mind a flash, mind a DRAM chipekét. A flash memóriával szemben a sebességen kívül további előnye az MRAM-nak, hogy élettartama végtelen hosszú, ellentétben a flash chipekével, amelyek csak korlátozott számú írás-olvasási ciklust bírnak ki.

Az MRAM-cellák két apró mágneses lapból állnak, amelyeket szigetelőréteg választ el. A két lap polarizációja azonos és ellentétes irányú lehet, ezek jelentik a bináris nullát és egyet. A polarizáció elektromos árammal gerjesztett mágneses mező segítségével változtatható, vagyis a cellákat így lehet írni. Az olvasás a cellákon átvezetett áram segítségével történik: ha a két lapka polaritása azonos irányú, a cella impedanciája kisebb, ha a polaritás ellenkező, akkor nagyobb. Az ellenállást mérve meghatározható, hogy a cella állapota "nulla" vagy "egy".

A Kínai Tudományos Akadémia Fizikai Intézetének munkatársai nem lapokat, hanem apró, nanoméretű gyűrűket használtak, amelyek külső átmérője 100 nanométer, belső átmérője pedig 50 nanométer. A csapat állítása szerint ilyenformán jelentősen csökkenteni tudták az MRAM cellák fogyasztását és méretét: a kutatás jelenlegi szakaszában az íráshoz 500-650 mikroamperes, az olvasáshoz pedig 10-20 mikroamperes nagyságrendű áramerősségre van szükség, de állításuk szerint a jelenlegi kutatásokat folytatva hamarosan 100-200 mikroamperre szoríthatják le az íráshoz szükséges áramerősséget. A cellák méretéről azonban nem áll rendelkezésre pontos információ, mint ahogy arról sem, hogy milyen technológiával és milyen kapacitású eszközöket állítottak elő.

Az MRAM azokon a területeken számíthat sikerre, ahol a nagy sebesség mellett szükség van az adatok folyamatos tárolására, ilyenek lehetnek például a szerverek, hálózati és adattárolási eszközök, az autókba épített elektronikai berendezések, illetve katonai eszközök. Ezekbe a készülékekbe manapság gyakran SRAM memóriát építenek, amelyet egy akkumulátorral egészítenek ki, így az SRAM tartalma a készülék kikapcsolása után sem vész el. MRAM használatával az akkumulátort el lehet hagyni. Akkumulátorról működő mobil eszközökben is hatékony lehet az MRAM használata.

Áprilisi, minden munkavállaló számára kötelező, laza jogi hallgatmányunk után itt a második, befejező rész. Nem kell megijedni, informatív és hasznos lesz ez is! Ennyi a minimum, amit munkavállalóként illik tudnod.

a címlapról