Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres
Felhőből visszaköltözéstől egészen egy banki malware evolúciójáig. Üzemeltetői és IT-biztonsági meetupokkal érkezünk!

Az eddigieknél kisebb és kevesebbet fogyasztó magnetorezisztív memóriát fejlesztettek ki kínai kutatók

Bodnár Ádám, 2007. március 12. 14:23
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

Kínai kutatók elkészítették az 1950-es és 1960-as as években már használt ferritgyűrűs memória nanováltozatát, amely áttörést jelenthet az MRAM (magnetorezisztív RAM) technológia területén. Az MRAM kapcsán felmerülő legnagyobb probléma ugyanis a cellák nagy mérete és fogyasztása, a Han Hsziu-feng professzor vezetésével dolgozó csapatnak ezeket sikerült jelentősen csökkentenie.

hirdetés
[HWSW] Kínai kutatók elkészítették az 1950-es és 1960-as as években már használt ferritgyűrűs memória nanováltozatát, amely áttörést jelenthet az MRAM (magnetorezisztív RAM) technológia területén. Az MRAM kapcsán felmerülő legnagyobb probléma ugyanis a cellák nagy mérete és fogyasztása, a Han Hsziu-feng professzor vezetésével dolgozó csapatnak ezeket sikerült jelentősen csökkentenie.

Az MRAM -- a rég elfeledett ferromágneses memóriához hasonlóan -- elektromos töltések helyett mágneses mezőt használ az egyes bitek tárolására. Az MRAM "nem felejt", azaz kikapcsolás után is megőrzi a tartalmát -- hasonlóan a flash memóriához --, az írási és olvasási sebessége ugyanakkor a villámgyors SRAM-okéval vetekszik, lényegesen felülmúlva mind a flash, mind a DRAM chipekét. A flash memóriával szemben a sebességen kívül további előnye az MRAM-nak, hogy élettartama végtelen hosszú, ellentétben a flash chipekével, amelyek csak korlátozott számú írás-olvasási ciklust bírnak ki.

Az MRAM-cellák két apró mágneses lapból állnak, amelyeket szigetelőréteg választ el. A két lap polarizációja azonos és ellentétes irányú lehet, ezek jelentik a bináris nullát és egyet. A polarizáció elektromos árammal gerjesztett mágneses mező segítségével változtatható, vagyis a cellákat így lehet írni. Az olvasás a cellákon átvezetett áram segítségével történik: ha a két lapka polaritása azonos irányú, a cella impedanciája kisebb, ha a polaritás ellenkező, akkor nagyobb. Az ellenállást mérve meghatározható, hogy a cella állapota "nulla" vagy "egy".

A Kínai Tudományos Akadémia Fizikai Intézetének munkatársai nem lapokat, hanem apró, nanoméretű gyűrűket használtak, amelyek külső átmérője 100 nanométer, belső átmérője pedig 50 nanométer. A csapat állítása szerint ilyenformán jelentősen csökkenteni tudták az MRAM cellák fogyasztását és méretét: a kutatás jelenlegi szakaszában az íráshoz 500-650 mikroamperes, az olvasáshoz pedig 10-20 mikroamperes nagyságrendű áramerősségre van szükség, de állításuk szerint a jelenlegi kutatásokat folytatva hamarosan 100-200 mikroamperre szoríthatják le az íráshoz szükséges áramerősséget. A cellák méretéről azonban nem áll rendelkezésre pontos információ, mint ahogy arról sem, hogy milyen technológiával és milyen kapacitású eszközöket állítottak elő.

Az MRAM azokon a területeken számíthat sikerre, ahol a nagy sebesség mellett szükség van az adatok folyamatos tárolására, ilyenek lehetnek például a szerverek, hálózati és adattárolási eszközök, az autókba épített elektronikai berendezések, illetve katonai eszközök. Ezekbe a készülékekbe manapság gyakran SRAM memóriát építenek, amelyet egy akkumulátorral egészítenek ki, így az SRAM tartalma a készülék kikapcsolása után sem vész el. MRAM használatával az akkumulátort el lehet hagyni. Akkumulátorról működő mobil eszközökben is hatékony lehet az MRAM használata.

4-4 klassz téma a HWSW júniusi üzemeltetői és IT-biztonsági meetupjain. Nézz meg a programot!