Már a DDR6 és GDDR7 memóriákon dolgozik a Samsung

Alig került piacra a DDR5, a Samsung már az azt követő DDR6-os szabványról beszélt rendezvényén. Bár utóbbi szabvány lefektetése még korai fázisban van, annyi borítékolható, hogy az előző generációkhoz hasonlóan duplázás várható sávszélességben. Ezt részben a modulokon belüli csatornák négyre emelésével, részben pedig a bankok 64 darabra növelésével érhetik majd el a gyártók.

Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.

Ennek hála a leglassabb DDR6-os modulok órajele elérheti az effektív 12 800 MHz-et, amely kereken 100 GB/s-os sávszélességet jelentene. A kvázi sztenderd kétcsatornás móddal számolva 200 GB/s-ra rúghatna az érték, amivel akár már erősebb integrált GPU-kat is ki lehetne szolgálni. Ez azonban csak a belépési küszöb lehet, a Samsung ugyanis 17 000 MHz-nél húzná meg a határt, ami még magasabb, 132 GB/s-os modulonkénti (és csatornánkénti) értéket jelentene. Természetesen ultramobil variáns is készül majd LPDDR6 néven, amely hasonló sebességre lesz képes, tehát az okostelefonoknál is elérhető lesz a kifejezetten magas sávszélesség.

A Samsung a dedikáltan GPU-khoz fejlesztett GDDR vonalon is aktívan dolgozik. Az átmeneti lépcsőnek tekinthető GDDR6+ optimális esetben már jövőre piacra kerülhet, amivel a chipek effektív órajele 18 000 és 24 000 MHz között skálázódhat majd. Ezt később a GDDR7 követi majd, amely egészen 32 000 MHz-ig tolja ki az effektív frekvenciát, miközben valós idejű hibajavítást is bemutat, így növelve a megbízhatóságot.

Mindezek előtt azonban piacra kerül a HBM3, ami chipenként 800 GB/s-os sávszélességet nyújt majd. A harmadik generációs rétegzett memória az elődökhöz hasonlóan leginkább a nagyvállalati termékekben kaphat majd helyet, különféle gyorsítók és szerverprocesszorok áramkörein. A HBM3 tömeggyártását 2022 második negyedévében indíthatja be a Samsung.