Hamarosan itt az első 512 gigabájtos memória

A gyártók már hónapok óta javában készülnek a DDR5-ös memóriaszabvány bevezetésére, élükön a Samsunggal. A DRAM-piac első számú szereplője egy minden szempontból kimagasló terméket jelentett be, amely rekord nagy kapacitása mellett sávszélességét tekintve is jó darabig egyedülálló lehet. A vállalat szerverekbe szánt regiszteres (RDIMM) memóriamodulja 512 gigabájtos kapacitást kínál 7200 MHz-es effektív órajel mellett.

5 erős érv a Kafka alapozó képzésünk mellett Szeptember 15-én, hétfőn ONLINE formátumú, a Kafka alapjaiba bevezető képzést indít a HWSW, ezért most összefoglaltuk röviden, hogy miért érdemes részt venni ezen a tanfolyamon.

A Samsung szerint ezzel a kapacitás a DDR4-es fejlesztésének kereken duplájára, a sávszélesség pedig 2,2-szerese. A kiugró javulás mögött különféle technológia fejlesztések egy csokra áll. A vállalat kiemelte a TSV-t, amelynek továbbfejlesztésével a korábbinál kétszer több DRAM-lapkát sikerült egybetokozni, miközben a chip magassága kéttized milliméterrel csökkent.

A különféle memóriachipek (DRAM, NAND, stb.) tokozáson belül jellemzően több szilíciumlapkát tartalmaznak, melynek hála többszörösére növelhető az egységnyi területre eső kapacitás. Az egyes lapkák között elválasztóréteg található, melyek vezetékezése emiatt az élükön fut végig, egészen a tokozás aljáig. Ezen tradicionális eljárással szemben a TSV-nél az egymásra helyezett szilíciumlapkákon belül kialakított, akár több száz járaton keresztül futnak végig a vezetékek. Ezzel elhagyható a relatíve vastag elválasztóréteg, illetve a huzalok hossza is jelentősen redukálható, így több lapka helyezhető egymásra, miközben a disszipáció is csökken.

A Samsung a TSV továbbfejlesztésének hála jelentősen, 40 százalékkal csökkentette az egyes lapkák közötti üres helyet. Ezzel a korábbi, DDR4-es chipeknél alkalmazott négylapkás (4H) konfigurációhoz képest már nyolc darab memórialapkát is egybe tudnak tokozni (8H), miközben a komplett chip magassága 1,2-ről kerek 1 milliméterre mérséklődött. A jelentős méretbeli csökkenéshez az egyes lapkák kisebb magassága is hozzájárult. A Samsung kiemeli, hogy az felhasznált DRAM-ok gyártásánál az iparágban elsőként alkalmazta a logikai áramkörökből már ismert HKMG (magas k-együtthatójú dielektrikum és fém kapuoxid) eljárást, melynek hála 14 százalékkal csökkent a lapkák disszipációja.

Mindezen fejlesztéseknek köszönhetően a rekordkapacitású modul sebessége akár 7200 MHz is lehet, habár a DDR5 szabványosítását végző JEDEC még be sem jegyezte a DDR5-7200 sebességi fokozatot. Ilyen effektív órajel mellett egyébként 56 GB/s-os (elméleti) átviteli sebességre lenne képes egyetlen modul. A Samsung ígérete szerint a termék még az év vége előtt tömegtermelésbe kerül, így jövőre már bizonyosan megvásárolható lesz a fél terabájtos RDIMM.