Történelmi félvezető-technológiai áttörést jelentett be az IBM
Történelmi jelentőségű félvezető-technológiai áttörésről számolt be tegnap az IBM, mely bemutatta az első, sub-1 nanométeres technológiával készülő chip prototípusát.
A chipgyártás során az elmúlt évtizedekben alkalmazott tranzisztorméret-skálázódás mára közel jár a fizikai határaihoz, a tervezőknek ezért új módszerekhez kell nyúlniuk ahhoz, hogy a tranzisztorsűrűséget - ezzel párhuzamosan a számítási teljesítményt - növeljék.
Ezen a téren számol be jelentős áttörésről az IBM, mely csütörtökön bemutatta az első, "sub-1 nanométeres" technológiával készült chipjét, mely technológiai értelemben a fizikai korlátok miatt valójában nem 1 nanométer alatti gyártástechnológiával készült (pontosabban fog készülni), ugyanakkor teoretikusan akkora számítási teljesítményt tud elérni, melyet egy ilyen chip képes lenne nyújtani.
Üzemeltetői meetup és Szabó Balázs standupja a SYSADMINDAY-en! MOST PÉNTEKEN 4 klassz előadással, értékes képzéskuponokkal vár az idei Sysadminday!
Ehhez az IBM mérnökei az igazi áttörésnek számító NanoStack architektúrát vetették be, mellyel a tranzisztorokat (egy NFET és egy PFET réteget) egymás tetejére, függőlegesen eltolva helyezték el. Ennek köszönhetően a tranzisztorok elülső és hátulsó oldala egymástól függetlenül kaphat tápellátást és jelet, ráadásul a különböző rétegekben eltérő anyagkombinációkat is használhatnak - mindezek alapján pedig drasztikusan nőhet a chipek tranzisztorsűrűsége.
A technológiára már sikerült működő prototípust is építenie az IBM-nek, melynél egy nagyjából körömnyi méretű lapkára a NanoStack segítségével csaknem százmilliárd tranzisztort zsúfoltak be
- ez nagyjából kétszerese az IBM 2021-ben bemutatott, azóta iparági szabványként használt 2 nm-es technológiájával elérhető értéknek.
Az IBM szerint az új technológia ez utóbbihoz képest azonos fizikai méret mellett 50 százalékkal nagyobb számítási teljesítményt, vagy ugyanazon teljesítményszint mellett 70 százalékkal kisebb energiafogyasztást ígér.
A NanoStack emellett az AI-chipekhez kapcsolt SRAM-cellák esetében is jelentős áttörést hozhat, ahol 40 százalékos sűrűségnövekedés (méretcsökkenés) érhető el az IBM 3D-technológiájával, mely feloldja a mostani, fizikai méretekből fakadó korlátot.
A tömeggyártás a cég várakozásai szerint legkorábban 5 év múlva indulhat el az új technológiával.