Indítja a Samsung a 2nm-es Exynos 2600 tömeggyártását
A 2 nm-es csíkszélességen gyártott Exynos 2600 nem csak nagy teljesítménybeli ugrást hoz elődjéhez képest, de ha a dél-koreaiak jól keverik a lapokat, fontos ügyfeleket szerezhetnek, és erősödhetnek a rivális bérgyártó TSMC-vel szemben.
Hamarosan feladhatja a leckét a Samsung félvezetőgyártó riválisának, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company-nek, azaz a TSMC-nek. A dél-koreai cég a korábbi ütemtervnek megfelelően ebben a hónapban kezdi meg a tömegtermelést 2 nm-es csíkszélességen, amit első körben az Exynos 2600-as lapkakészlet legyártásához vet be. Ez hatalmas lehetőség a Samsung Foundry, azaz a bérgyártói részleg számára, mivel a világ első 2nm-es gyártási technológiával készített, kereskedelmi forgalomba kerülő mobilchipjével előzheti be a TSMC-t.
Az elemzők optimisták a tempót láva, és eddig úgy tűnik, hogy ha a Samsungnak sikerül versenyképesen áraznia, és megfelelő kihozatali arányokat elérnie, akár az olyan nagyobb ügyfeleket is magához csábíthatja a domináns TSMC-től, mint a Qualcomm vagy az Nvidia. A 2 nm-es csíkszélességekkel a dél-koreai cég több éven keresztül szolgálhatja ki hatékonyan a megrendelőket, ezért párhuzamosan több változatot is fejleszt. A megrendelők részéről várhatóan a második generációs SF2P és az SF2P+ iránt mutatkozhat majd nagyobb kereslet, melyek már az első generációs társuknál kiforrottabbá válnak, és viszonylag hamar lesznek elérhetőek.
Az AI és a nagy full-full-stack trend Az AI farvizén számos új informatikai munkakör születik, vagy már ismert munkák kapnak új nevet és vele extra elvárásokat is.
Az Exynos 2600 chip a dél-koreaiak eddigi legambícizusabb chipje lehet a Gate-all-around (GAA) technológiával, amit a jövőre megjelenő Samsung Galaxy S26 sorozat ütőkártyájának szán. A FinFET tranzisztorokat leváltó GAA (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal tranzisztorokra építő architektúra a tömegtermelésben elsőként alkalmazott FinFET-nél valamelyest kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben a skálázhatóságot számottevően kitolja. Utóbbinak hála tovább csökkenthető a csíkszélesség, nanohuzal tranzisztorokkal 5 nanométer alá is be lehet menni, ezzel egységnyi területre még több tranzisztort besűrítve. A GAA esetében a forrás (source) és a nyelő (drain) között fektetett nanohuzalok vannak, amelyeket mint egy szigetelt elektromos vezetéket, teljesen körülölel a HKMG (magas k-együtthatójú dielektrikum és fém kapuoxid) elektróda, innen a Gate-All-Around elnevezés - szemben a FinFET három oldali ölelésével.
A Samsung többek közt a régebbi Exynos processzorokat érintő túlmegeledési problémákra megoldást hozó új hűtéstechnológiát is fejlesztett az új SoC-nak. A korai benchmarkok szerint a tízmagos chip teljesítményben lekörözheti az Apple saját A19 Pro chipjét a többmagos feldolgozási műveletekben. A GSMArena korábbi szivárogtatása alapján az Exynos 2600 1+3+6 konfigurációval bír majd, az egyetlen elsődleges mag 3,55 GHz-en, a három nagyteljesítményű mag 2,96 GHz-en, a többi hat energiahatékony mag pedig 2,46 GHz-en fog ketyegni.
Ugyan a TSMC még mindig piacvezető a bérgyártói szegmensben, de csak némileg később, az idei negyedik negyedévben kezdi meg a tömeggyártást 2 nm-en. A Samsung előnye így teret ad számára, hogy újabb jelentős ügyfeleket szipkázzon el magának.