Indítja a Samsung a 2nm-es Exynos 2600 tömeggyártását
A 2 nm-es csíkszélességen gyártott Exynos 2600 nem csak nagy teljesítménybeli ugrást hoz elődjéhez képest, de ha a dél-koreaiak jól keverik a lapokat, fontos ügyfeleket szerezhetnek, és erősödhetnek a rivális bérgyártó TSMC-vel szemben.
Hamarosan feladhatja a leckét a Samsung félvezetőgyártó riválisának, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company-nek, azaz a TSMC-nek. A dél-koreai cég a korábbi ütemtervnek megfelelően ebben a hónapban kezdi meg a tömegtermelést 2 nm-es csíkszélességen, amit első körben az Exynos 2600-as lapkakészlet legyártásához vet be. Ez hatalmas lehetőség a Samsung Foundry, azaz a bérgyártói részleg számára, mivel a világ első 2nm-es gyártási technológiával készített, kereskedelmi forgalomba kerülő mobilchipjével előzheti be a TSMC-t.
Az elemzők optimisták a tempót láva, és eddig úgy tűnik, hogy ha a Samsungnak sikerül versenyképesen áraznia, és megfelelő kihozatali arányokat elérnie, akár az olyan nagyobb ügyfeleket is magához csábíthatja a domináns TSMC-től, mint a Qualcomm vagy az Nvidia. A 2 nm-es csíkszélességekkel a dél-koreai cég több éven keresztül szolgálhatja ki hatékonyan a megrendelőket, ezért párhuzamosan több változatot is fejleszt. A megrendelők részéről várhatóan a második generációs SF2P és az SF2P+ iránt mutatkozhat majd nagyobb kereslet, melyek már az első generációs társuknál kiforrottabbá válnak, és viszonylag hamar lesznek elérhetőek.
Hyperscaler vagy hazai felhő? Lehet, hogy nem kell választani! Egy jól felépített hibrid vagy multicloud modellben a különböző felhők nem versenytársai, hanem kiegészítői egymásnak.
Az Exynos 2600 chip a dél-koreaiak eddigi legambícizusabb chipje lehet a Gate-all-around (GAA) technológiával, amit a jövőre megjelenő Samsung Galaxy S26 sorozat ütőkártyájának szán. A FinFET tranzisztorokat leváltó GAA (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal tranzisztorokra építő architektúra a tömegtermelésben elsőként alkalmazott FinFET-nél valamelyest kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben a skálázhatóságot számottevően kitolja. Utóbbinak hála tovább csökkenthető a csíkszélesség, nanohuzal tranzisztorokkal 5 nanométer alá is be lehet menni, ezzel egységnyi területre még több tranzisztort besűrítve. A GAA esetében a forrás (source) és a nyelő (drain) között fektetett nanohuzalok vannak, amelyeket mint egy szigetelt elektromos vezetéket, teljesen körülölel a HKMG (magas k-együtthatójú dielektrikum és fém kapuoxid) elektróda, innen a Gate-All-Around elnevezés - szemben a FinFET három oldali ölelésével.
A Samsung többek közt a régebbi Exynos processzorokat érintő túlmegeledési problémákra megoldást hozó új hűtéstechnológiát is fejlesztett az új SoC-nak. A korai benchmarkok szerint a tízmagos chip teljesítményben lekörözheti az Apple saját A19 Pro chipjét a többmagos feldolgozási műveletekben. A GSMArena korábbi szivárogtatása alapján az Exynos 2600 1+3+6 konfigurációval bír majd, az egyetlen elsődleges mag 3,55 GHz-en, a három nagyteljesítményű mag 2,96 GHz-en, a többi hat energiahatékony mag pedig 2,46 GHz-en fog ketyegni.
Ugyan a TSMC még mindig piacvezető a bérgyártói szegmensben, de csak némileg később, az idei negyedik negyedévben kezdi meg a tömeggyártást 2 nm-en. A Samsung előnye így teret ad számára, hogy újabb jelentős ügyfeleket szipkázzon el magának.