2 nanométeres chipeket gyártana 2025-ben a Samsung
Bérgyártós divíziójának következő éveiről beszélt tegnap a Samsung. A chipgyártó nem adja fel ambícióit, azaz továbbra is feltette szándéka behozni technológia lemaradását, miközben a jelenlegi duplájára növelné kapacitását.
A következő évek egyik fontos projektje a 2 nanométeres csíkszélesség kifejlesztése, illetve gyártásba állítása lesz, a céldátum szerint 2025 második felében. A kutatási fázisban járó projektről egyelőre nem árult el sok érdemi információt a Samsung. Annyi borítékolható, hogy a csíkszélesség az egyre szélesebb körben alkalmazott EUV-s, vagyis az extrém ultraibolya fényt használó levilágítási mód mellett új tranzisztorokat is alkalmaz. A bérgyártó a konkurensekhez hasonlóan GAA-ra (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal/nanolap-tranzisztorra építi 2 nanométeres eljárását, amely a jelenleg alkalmazott FinFET-nél kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben számottevően javítja a skálázhatóságot.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
A jelenlegi tervek szerint négy év múlva megjelenő eljárás várható tranzisztorsűrűségéről egyelőre csak találgatni lehet. Az IBM fejlesztőlaborja által pár hónapja közölt adatok szerint a 2 nanométerrel nagyjából 333,33 millió darab tranzisztort helyezhető el egyetlen négyzetmilliméteren, amely érték közel 96 százalékkal múlja felül a tavaly óta tömegtermelésben lévő, piacvezető 5 nanométeres TSMC-eljárást.
Ez röviden annyit tesz, hogy egységnyi területen közel kétszer annyi tranzisztor gyártható le, melynek hála jelentősen csökkenthető a lapka területe, vagy változatlan terület mellett duplázható a kritikus fontosságú érték. Az sem kizárt, hogy a Samsung az IBM kutatásait is felhasználja 2 nanométeres fejlesztésében. A két cég a GlobalFoundries mellett a Common Platform félvezetős szövetség tagja, miközben a Samsung gyártja az IBM legújabb Power processzorait.
A 2 nanométeres fejlesztést megelőzi a 3 nanométer, mely a dél-koreai bérgyártó jelenlegi tervei szerint már csak 2023-ban kerül gyártásba, jelentős csúszással. A Samsung 2018-ban jelentette be, hogy 3 nanométeren beveti a nanohuzal-tranzisztorokat. A bérgyártó akkor azt ígérte, hogy a vadiúj tranzisztorokra épülő eljárás már 2022-ben, azaz jövőre tömeggyártásba kerül. A fejlesztés azonban megcsúszott, így a két variáns, vagyis a 3GAAE (Gate-All-Around Early), illetve a 3GAAP (Gate-All-Around Plus) csak nagyjából két év múlva kerül gyártásba.
Duplázás
Az egyes élvonalbeli technológiák mellett a manapság igencsak szűkös gyártókapacitásra is nagy hangsúlyt fektet a Samsung. A bérgyártó friss tervei szerint 2026-ra megduplázza jelenlegi gyártási volumenét, melynek első lépéseként 17 milliárd dollárért épít új gyáregységeket Amerikában.