Képtelen tartani a TSMC-vel a lépést a Samsung

A SemiAnalysis beszámolója szerint a dél-koreai gyártó nagy előrelépéssel kecsegtető gyártástechnológiája legkorábban már csak 2023 végén kerülhet tömegtermelésbe, azonban jelen állás szerint inkább a 2024-es céldátum tűnik valószínűbbnek. Az írás Dr. Chidi Chidambaram szavaira alapozik, aki a Qualcomm félvezetős technológiákért felelős alelnöke. Utóbbi chiptervező és a Samsung hosszú évek óta tartó gyártópartneri megállapodásban vannak, így Chidambaram valószínűleg pontosan tudja, miről beszél.

Hyperscaler vagy hazai felhő? Lehet, hogy nem kell választani! Egy jól felépített hibrid vagy multicloud modellben a különböző felhők nem versenytársai, hanem kiegészítői egymásnak.

A dél-koreai bérgyártó még 2018-ban jelentette be, hogy 3 nanométeren beveti a nanohuzal-tranzisztorokat. A Samsung akkor azt ígérte, hogy a vadiúj tranzisztorok már 2022-ben, azaz jövőre tömeggyártásba kerülhetnek. Ez a már ismert koreográfiának megfelelőn két variánst jelent, a 3GAAE (Gate-All-Around Early), illetve 3GAAP (Gate-All-Around Plus) formájában. A GAA-ra, vagyis a nanohuzal tranzisztorra épülő saját implementációját MBCFET-nek (multi-bridge-channel FET) hívja a Samsung, amelynek fejlesztése egészen 2002-ig nyúlik vissza, így alaphangon egy 20 éves kutatói és fejlesztői munka érhet majd be amikor piacra kerül a 3 nanométer.

Az elmúlt pár évben egyre többet emlegetett GAA a lehetséges tranzisztorfejlesztési irányokból a legígéretesebbnek tűnt. A fejlesztés ugyanis a jelenleg alkalmazott FinFET-nél valamelyest kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben a skálázhatóságot számottevően kitolja. Utóbbinak hála tovább csökkenthető a csíkszélesség, nanohuzal tranzisztorokkal 5 nanométer alá is be lehet menni, ezzel egységnyi területre még több tranzisztort besűrítve. A GAA esetében a forrás (source) és a nyelő (drain) között fektetett nanohuzalok vannak, amelyeket mint egy szigetelt elektromos vezetéket, teljesen körülölel a HKMG (magas k-együtthatójú dielektrikum és fém kapuoxid) elektróda, innen a Gate-All-Around elnevezés - szemben a FinFET három oldali ölelésével.

Nem csoda, hogy a Samsung mellett az Intel és a TSMC is dolgozik a saját implementációján, habát egyelőre egyik cég sem árul el ezzel kapcsolatos konkrétumokat. A piacvezető TSMC azonban már 2019 óta beszél 3 nanométeres "N3" fejlesztéséről. Az egyelőre nem derült ki, hogy a tajvani bérgyártó milyen tranzisztorokat alkalmaz a jövőben érkező technológiánál, ami akár azt is jelentheti, hogy 3 nanométeren még a FinFET-et alkalmazza a cég, amely anno az EUV bevezetését is sikerrel tolta el. Ettől függetlenül a TSMC lényegesen jobban áll saját 3 nanométerével, amely friss pletykák szerint már akár a jövő év második felében piacra kerülhet az Apple valamely chipdizájnjával.