NAND uralomra törne az SK Hynix
A NAND kapja a fókuszt az SK Hynix idei fejlesztési tervében, egy nagy ugrással hozná be lemaradását a memóriagyártó.
Napvilágot láttak az SK Hynix idei tervei, a memóriagyártó minden fronton igyekszik növelni versenyképességét, a NAND-os fejlesztések mellett a DRAM-ok gyártást is új alapokra helyezné a dél-koreai vállalat. A gyártó ezzel lovagolná meg a memóriapiacon megugrott keresletet, és az ebből fakadó áremelkedéseket, miközben megközelítené a nagy hazai konkurens Samsungot.
A DRAM lapkák volumenének növeléséhez idén új gyártástechnológiát vezet be az SK Hynix, ami fokozatosan veheti majd át a 2015 végén beindított, mostanra felfuttatott 21 nanométer helyét. Az év második felére várható technológiát a jól bevált dél-koreai ködösítés keretein belül csak 10 nanométeres osztályú fejlesztésként aposztrofál az SK Hynix, ami egyes források szerint 18 nanométert takar. Ezt a fajta osztályozást a nagy hazai konkurens Samsung is előszeretettel alkalmazza, amelynek értelmében a vállalat nem hozza nyilvánosságra az általuk használt gyártástechnológia pontos adatait, például a 10 nanométeres osztály annyit jelent, hogy a csíkszélesség 10 és 19 nanométer között van, valahol.
A 10 nanométeres osztályú technológiát elsőként a kínai gyár kapja meg, a 2006-ban megnyitott üzem kiemelt fontossággal bír a cég számára, az ugyanis a teljes DRAM gyártókapacitás nagyjából felét adja. A Vuhsziban található gyárkomplexumba 950 milliárd wont (0,82 milliárd dollár) önt az SK Hynix, amivel elsősorban a tisztaszoba területének növelését célozza a bővítés. 20 nanométer alatt ugyanis jelentősen nő a komplexitás, ami újabb lépcsőket iktat be a gyártási folyamatba. Az ehhez szükséges eszközöknek helyet kell biztosítani, ami szabad terület híján a gyártókapacitás csökkenését eredményezné, ezért a bővítés elkerülhetetlen.
A TrendForce elemzése szerint idén kapacitást tekintve 20 százalékkal nő DRAM-ok iránti kereslet, hála az Intel új, Purley platformjának, amivel a processzorgyártó a memóriaéhes szerverpiacot célozza. Ugyancsak nagy lökést jelenthet, hogy egyes csúcs androidos készülékek már 8 gigabájt memóriával érezhetne, ami a jelenlegi 6 gigabájtnál harmadával nagyobb kapacitást jelentene. A hírek szerint a 20 százalékkal növekvő igényre a gyártók csak 19 százalékos kapacitásbővítéssel reagálnak, ami nem csak fenntarthatja, de még emelhet is a már jelenleg is magas árakon.
Fókuszban a NAND
A DRAM gyártást célzó evolúciós fejlesztésekkel szemben a NAND-okhoz jobban hozzányúl az SK Hynix. A vállat stratégiája érhető, hisz ezen a téren nagyobb a lemaradás a konkurensekhez képest. A DRAM-okhoz hasonlóan ezen a piacon is folyamatosan nő a nagyobb kapacitású lapkák iránti igény, amit részben ugyancsak az okostelefonok és az adatközpontok generálnak. Erre példa az épp SK Hynis NAND-okat alkalmazó iPhone 7, amivel az Apple duplázta az egyes modellek tárhelyének méretét.
A megugrott igényt a rétegezett, 3D NAND-okkal lehet relatíve könnyen kielégíteni, de a technológia folyamatos fejlesztést igényel, az egységnyi területű lapkára vetített kapacitás növeléséhez az rétegek számát szükséges emelni. Ebben jelenleg a Samsung jár az élen, a vállalat már 64 rétegnél tart. A hazai konkurenssel szemben az SK Hynix még csak 48 rétegnél jár harmadik generációs, 3D-V3 kódnevű fejlesztésével, amivel elsősorban a hárombites, TLC chipekre fókuszál a cég.
Nagy pénz, nagy szívás: útravaló csúcstámadó IT-soknak Az informatikai vezetősködés sokak álma, de az árnyoldalaival kevesen vannak tisztában.
Az SK Hynix ezt már idén felülmúlná, a cég ambiciózus terveivel egy lépéssel 50 százalékot ugrana, 72-re növelné a rétegek számát, az első lapkákat pedig már a második negyedévben leszállítaná 256 gigabites (32 gigabájtos) TLC chipek formájában, amit a negyedik negyedévben 512 gigabites (64 gigabájt) egységek követnének. A 3D-V4 kódnevű fejlesztés technikai érdekessége, hogy a rétegsűrűség mellett blokkméret is nőne, 9-ről 13,5 megabájtra.
Az ugyancsak 50 százalékos növekedés hátterében az egy chipre vetített teljesítmény fenntartása áll, ugyanis a bitsűrűség növekedésével párhuzamosan csökken az egységnyi kapacitáshoz szükséges lapkák száma, ami az átviteli sebesség csökkenését hozná maga után az olyan párhuzamosságra építő többcsatornás rendszerben, mint az SSD. A fejlesztéseknek hála jelentősen nőhet a meghajtók kapacitása, az M.2-es meghajtók tárhelye már a 4 terabájtot is elérheti, ami kellően vonzóvá teheti azokat a szélesebb körű vállalati felhasználáshoz.
Az SK Hynix dinamikus fejlesztési tervének jó alapot nyújt a cég tőzsdei produkciója, a vállalat papírjainak értéke ugyanis a tavalyi év során hatalmas mértékben, 49 százalékkal nőtt, ilyen mértékű emelkedésre 2009 óta nem volt példa. A befektetők optimizmusához részben hozzájárulhat, hogy iparági pletykák szerint az SK Hynix egy vegyesvállalat létrehozásán dolgozik a Seagate-tel, ahol a két vállalat közösen fejlesztene nem volatilis memóriákat.