Szerző: Asztalos Olivér

2019. július 25. 08:30:00

Már a 3 nanométert ízlelteti ügyfeleivel a TSMC

3 nanométeres fejlesztéséről beszélt a napokban a TSMC, amely már akár 2021 végén gyártásba kerülhet.

3 nanométeres fejlesztéséről beszélt a napokban a TSMC. A tajvani piacvezető bérgyártó állítja, az N3 kódnevű technológia munkálatai a tervek szerint, vagyis jól haladnak, az ügyfelek már megkapták a lapkák tervezéséhez szükséges alapvető paramétereket. További részletekbe egyelőre nem bocsátkozott a TSMC, így nem lehet tudni, hogy milyen tranzisztorokat alkalmaz majd a TSMC, illetve a gyártásnál pontosan mekkora szerepet kap az EUV, vagyis az extrém ultraibolya fényt alkalmazó levilágítási mód.

A vállalat korábbi nyilatkozata alapján az 5 nanométer (CLN5FF) lesz az első "igazi" EUV-s eljárása. A bérgyártó technológiájánál szélesebb körben veti majd be az egyelőre gyerekcipőben járó EUV-t, valamikor a jövő év második felében. Korábbi hírek szerint az egyes chipdizájnoknál igénytől függően már akár 14 rétegét is az extrém ultraibolya fénnyel rajzolhatnak meg a gyártósorok. Ez annak tükrében lehet nagy előrelépés hogy a vállalat első EUV-s fejlesztése, az idei év második felére datált CLN7FF+ csak a gyártási folyamat egy kis részénél, a nem kritikus rétegeknél veti be az extrém ultraibolya fényt, a többi layer a jól bevált 193i (193 nm-es hullámhosszúságú fény) levilágítással készül. Ily módon kordában tarthatóak a költségek, illetve csökkenthető a meglehetősen magas rizikó.

fets

Machine learning és Scrum alapozó képzések indulnak! (x) A HWSW októberben induló gyakorlatorientált, 10 alkalmas, 30 órás online képzéseire most early bird kedvezménnyel lehet regisztrálni!

A 3 nanométerhez tehát várhatóan már minden adott lesz, hogy a gyártás akár összes fázisában alkalmazható legyen az EUV. Ennél nagyobb kérdés a tranzisztor típusa. Az első számú konkurens Samsung hónapokkal ezelőtt közölte, hogy ilyen alacsony csíkszélességnél már nem éri meg FinFET tranzisztorokat alkalmazni. A dél-koreai vállalat ezért GAA-ra (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal-tranzisztorra építi 3 nanométeres eljárását, amely a FinFET-nél valamelyest kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben a skálázhatóságot számottevően kitolja.

A TSMC egyelőre mélyen hallgat a tranzisztor típusáról. Ez akár azt is jelentheti, hogy 3 nanométeren még a FinFET-et alkalmazza a cég, amely az EUV bevezetését is sikerrel tolta el. Míg a Samsung már 7 nanométeren kénytelen volt bevetni a költséges technológiát, addig a tajvani konkurens csak a 7+-nál próbálja azt ki. A döntésnek hála a TSMC nagyjából egy évvel hamarabb készült el fejlesztésével, amely óriási előnyt jelentett a Samsunggal szemben. A tajvani bérgyártó a FinFET helyett akár egy alternatív irányt is választhat, például a kapuk kialakításánál III-V anyagokat alkalmazó FinFET-et vagy a nanohuzalra hasonlító nanolap tranzisztort.

a címlapról