Itt vannak a Samsung friss memóriás fejlesztései

Bejelentette legújabb DRAM-os fejlesztéseit a Samsung. A dél-koreai vállalat saját kútfőből, vagyis a JEDEC szabványától eltérően fejleszette tovább a HBM2-es termékét, új csúcsra emelve a rétegzett memória maximális átviteli sebességét. Ezzel párhuzamosan DDR4-es lapkáján is módosított a gyártó. Az új DRAM a memóriás iparág legkisebb csíkszélességén készül, melynek hála 20 százalékkal csökkent a lapka területe, ezzel párhuzamosan pedig annak előállítási költsége.

A Samsung Flashbolt kódnevű, a JEDEC szabványtól eltérő HBM2E fejlesztése az eddigi maximális 307 GB/s-ról 410 GB/s-ra növelte a chipek maximális sávszélességét. A 33 százalékos ugrás jelentősnek számít, minek hála négy darab stackkel (és 4096 bites memóriavezérlővel) már 1,64 TB/s-os sávszélességet lehet elérni. A gyártó arról nem beszél, hogy a számottevő növekedés milyen hatással volt a chipek disszipációjára, mint ahogy egyelőre azt sem tudni, milyen gyártástechnológián készülnek a HBM2E chipek.

Szoftvertesztelés: ütött az óra A tesztelői szakmát rengeteg friss hatás éri, kifejezetten nehezített pálya ez mostanság.

Szoftvertesztelés: ütött az óra A tesztelői szakmát rengeteg friss hatás éri, kifejezetten nehezített pálya ez mostanság.

A sávszélesség mellett a kapacitás is nőtt, amelynek köszönhetően akár 16 gigabájtos chipeket is elő tud állítani a Samsung. A tempóval ellentétben ez nem haladja meg a JEDEC szabványát, sőt. A HBM2 legfrissebb specifikációja már akár 12 darab 16 gigabites memórialapkát is összefűzhet egyetlen HBM2-es chip, amely kompletten akár 24(!) gigabájtos kapacitást is eredményezhet. A rétegzett memória ezzel bár tovább növelte a GDDR-rel szembeni előnyét, alkalmazása még mindig rendkívül magas költségvonzattal jár, ezért a chipek elsősorban továbbra is különféle nagyvállalati és/vagy csúcskategóriás konzumer termékekről köszönhetnek majd vissza.

A HBM2E mellett a lényegesen szélesebb körben alkalmazott DDR4-et sem felejtette el a Samsung. A vállalat kapcsolódó bejelentése szerint az év második felében tömegtermelésbe kerülhetnek a harmadik generációs 10 nanométerrel ("1z-nm") előállított lapkák. A fejlesztés előnye, hogy annak hála úgy sikerült tovább csökkenteni a csíkszélességet (illetve növelni a bitsűrűséget), hogy továbbra sincs szükség a költséges EUV (extrém ultraibolya fény) technológia alkalmazására. Ily módon a 8 gigabites DDR4 lapkák területe 20 százalékkal lett kisebb, minek köszönhetően tovább csökken a chipek gyártási költsége, és remélhetőleg ezzel párhuzamosan az arra épülő memóriamodulok ára is mérséklődik majd.