Szerző: Asztalos Olivér

2018. május 28. 16:02:00

Technológiai nézeteltérés miatt szakít az Intel és a Micron

Míg az Intel marad a járt úton, addig a Micron 180 fokos fordulatot tesz NAND-os fejlesztésével.

A korábbi találgatásokkal ellentétben immár bizonyos, hogy egy prózai ok vezetett az Intel és a Micron NAND-os fejlesztéseinek szétválasztásához. A legfrissebb hírek szerint ugyanis a Micron egy kvázi 180 fokos fordulatot véve változtatni szeretett volna a fejlesztés irányán, az ötlet azonban nem aratott osztatlan sikert a partner térfelén, a vita vége pedig (részben) szakítás lett. A történet a NAND-ok alapvető építő elemei, a cellák körül forog, a Micron ugyanis korábbi véleményét sutba vágva CTF-re (Charge Trap Flash) cseréli az idáig alkalmazott lebegőkapus megoldást.

Utóbbit már évek óta csak a szóban forgó két gyártó alkalmazza, a Samsung, az SK Hynix, a WDC (SanDisk), illetve a Toshiba is a CTF mellett tette le a voksát. Ennek alapjaihoz egészen az 1960-as évek végéig kell visszamennünk, ugyanis a koncepció lényegét már ekkor leírták. Ennek lényegéhez először széles körben elterjedt lebegőkapus (floating gate) NAND tranzisztorról érdemes pár szót ejteni. Ebben az adatbiteket tároló töltést egy izolált vezetőréteg tartalmazza, melyben az elektronok szabadon fickándozhatnak.

ctf

Ezzel szemben a CTF-nél egy speciális szigetelőanyagba (SiN, szilícium-nitrid) kerül a töltés, amely kvázi elektroncsapdaként funkcionál. Amennyiben sikerül megfelelően kivitelezni a koncepciót, akkor annak számos pozitív hozadéka lehet. Első sorban azon okból, hogy a szilícium-nitrid szigetelőfilm alapvetően lényegesen ellenállóbb az elektronok folyamatos ki- és bejárkálásával szemben. A CTF NAND pedig felépítéséből eredően megelégszik vékonyabb szigetelőréteggel, mely a kisebb méretből eredő alacsonyabb ellenállás mellett egyben azt is jelenti, hogy a cella programozásához alacsonyabb feszültség is elég. Utóbbi azért fontos, mert jellemzően minél alacsonyabb feszültségen programozza a vezérlés egy cellát, annál hosszabb lesz az élettartama, ugyanis az alacsonyabb feszültség kevésbé degradálja a szigetelőt.

Ezen előnyökkel minden bizonnyal a Micron mérnökei is tisztában voltak, ugyanakkor a cég korábban még erősen szkeptikus volt a CTF-et illetően, pláne 3D felépítés esetében. Az idő azonban a konkurenseket igazolta, a felsorolt gyártók egyelőre különösebb (publikus) problémák nélkül növelik a rétegek számát, illetve ezzel együtt a bitsűrűséget. Talán nem véletlen, hogy ezen a téren remekül áll a Samsung, amely még valamikor 2003 környékén tette le az asztalra az első CTF NAND-ot. Ennek fényében érdekes kérdést vet fel, hogy a Micron nyilvánvaló hátrányból hova tud majd ugrani első fejlesztésével a konkurensek viszonylag sűrű mezőnyében.

Ki húzza a rövidebbet?

Ennek megfelelően immár az is nyilvánvaló, hogy az Intel marad az egyetlen amely kitart a lebegőkapus irány mellett. Azt egyelőre megtippelni is nehéz, hogy a két cég döntése közül végül melyik bizonyul jobbnak. Az sem zárható ki, hogy a Micron és az Intel is két szék közé ül. Előbbi azért, mert a konkurensekkel szemben hendikeppel indul, utóbbi pedig esetlegesen azért, mert lebegőkapus fejlesztésével végül zsákutcába fut.

Utóbbitól függetlenül azonban a 3D XPoint fejlesztését továbbra is együtt végzi a két vállalat, hisz ahogy korábban kiderült, a szakítás csak a NAND-okra vonatkozott. Az ehhez kapcsolódó kutatás-fejlesztés és a gyártás tehát közös marad, az erre beállított gyártósorok az utahi Lehiben a jövőben kizárólag ezt ontják majd magukból. Érdekes egyébként, hogy a technológiát egyelőre kizárólag az Intel termékesítette Optane sorozatú tárolóival, a Micron saját QuantX márkája mögött továbbra sincs piacképes termék.

a címlapról