HWSW

Rálicitált a Samsung a GlobalFoundriesre

A bérgyártó konkurenséénél papíron egy hajszállal jobb, 11 nanométeres csíkszélességet mutatott be.

Újabb, 11 nanométerre keresztelt félvezetőgyártási eljárást jelentett be a Samsung. A dél-koreai bérgyártó megoldása kísértetiesen hasonlít a konkurens GlobalFoundries nagyjából két héttel ezelőtt bejelentett [1] fejlesztésére, az ugyanis részben szintén a 14LPP-re épít. Az így megszületett 11LPP jelölésű eljárás az utóbb említett 14LPP-nél 10 százalékkal nagyobb tranzisztorsűrűséget és 15 százalékkal nagyobb tranzisztorteljesítményt ígér. A Samsung szerint fejlesztése elsősorban egyes középkategóriás alkalmazásprocesszorokhoz lehet majd jó választás, azzal ugyanis a 10 nanométeres eljárás költségeinél alacsonyabban lehet közel azonos teljesítményt kihozni.

Természetesen tranzisztorsűrűségben megmarad a 10 nanométer előnye, amely a 14LPP-nél 30, a 11LPP-nél pedig 20 százalékkal több tranzisztort képes felsorakoztatni egységnyi területen. Érdemes ezt összevetni a már említett konkurens eljárással, szeptemberben bejelentett fejlesztését a GlobalFoundries ugyanis szintén a 14LPP-hez mérte. Ehhez képest a GloFo 12LP jelölésű megoldása 15 százalékkal nagyobb tranzisztorsűrűséget és 10 százalékkal nagyobb teljesítményt ígér, tehát a Samsung 11LPP-hez képest előbbiben 5 százalékkal jobb, utóbbiban pedig ugyanennyivel rosszabb, magyarán a két eljárás nagyon hasonló paraméterekkel rendelkezik.

xUtóbbi jól mutatja, hogy a bérgyártók manapság mennyire szabadon dobálóznak a nanométerekkel, hisz a tranzisztorsűrűségre utaló értéket tekintve inkább a GlobalFoundriesnek lenne nagyobb létjogosultsága 11 nanométernek nevezni eljárását, ugyanakkor objektíven szemlélve egyik fejlesztés sem érdemelte ki az alacsony számokat. A 14LPP-hez képest ugyanis az Intel 14 nanométeres eljárása nagyjából 25 százalékkal nagyobb tranzisztorsűrűséget kínál, amit sem a GlobalFoundries 12 nanométere, sem pedig a Samsung 11 nanométere nem képes hozni.

Utóbbi jelölést vélhetően a gyártástechnológia BEOL (back-end-of-line) része inspirálta, amelyet a Samsung állítása szerint kompletten a 10 nanométeres eljárástól hozott át, a FEOL-t (front-end-of-line) pedig a 14 nanométertől örökölte a hibrid fejlesztés. A Samsung szerint az átmeneti eljárással megkönnyíthető a migrációs folyamat, a partnerek fokozatosan, nagyobb kockázat nélkül állhatnak át 14 nanométerről 11-re, majd onnan később 10-re. Utóbbi (pontosabban a 10LPP) a 11LPP-hez képest nagyjából 20 százalékkal nagyobb tranzisztorsűrűséget és körülbelül 5 százalékkal nagyobb teljesítményt ígér. A 11LPP-t alkalmazó tömegtermelés valamikor a jövő év második felében indulhat be.

A cikkben hivatkozott linkek:
[1] http://www.hwsw.hu/hirek/57834/globalfoundries-glofo-12lp-12nm-amd-lapka-szilicium-bergyarto.html
A cikk adatai:
//www.hwsw.hu/hirek/57879/samsung-11-nanometer-11lpp-globalfoundries-glofo-felvezeto-tranzisztor.html
Író: Asztalos Olivér (oliver.asztalos@hwsw.hu)
Dátum: 2017. október 03. 10:56
Rovat: digitális otthon