Szerző: Bizó Dániel

2007. május 17. 15:08:42

Tíz év múlva realitássá válhatnak a terabites flash chipek

[Nikkei Electronics Asia/HWSW] A különböző memóriatechnológiákkal kapcsolatosan újra és újra felmerül, méreteik zsugorodása a fejlettebb gyártástechnológiákkal elmarad a logikai áramkörökétől, pláne az ideális mértéktől. A robbanásszerűen növekvő piacot kiépítő flash memória sokak szerint nehézségekbe fog ütközni a nanométerhez közelítő tartományban, egy koreai kutatócsapat azonban rácáfolt ezekre a hangokra.

[Nikkei Electronics Asia/HWSW] A különböző memóriatechnológiákkal kapcsolatosan újra és újra felmerül, méreteik zsugorodása a fejlettebb gyártástechnológiákkal elmarad a logikai áramkörökétől, pláne az ideális mértéktől. A robbanásszerűen növekvő piacot kiépítő flash memória sokak szerint nehézségekbe fog ütközni a nanométerhez közelítő tartományban, egy koreai kutatócsapat azonban rácáfolt ezekre a hangokra.

A koreai Advanced Institute of Science & Technology és a szintén koreai Nanofab Center egy közös kutatócsapata bebizonyította, hogy a flash technológia akár 10 nanométeres méret mögé is skálázható, vagyis a következő évtizedben is biztosítottnak látszik a memóriatípus további menetelése, és a több tucat gigabájtos kapacitások filléres költsége. A Choi Yang-kyu professzor által vezetett csapat 8 nanométeres csíkszélességű tranzisztorokat alkalmazó flashmemóriát dolgozott ki laboratóriumi körülmények között, ami 1 terabites (128 gigabájt) flashchipek építését is lehetővé teheti a következő évtized végére.

A koreaiak a szivárgás megfékezésére, hogy működőképes lehessen a cella, háromdimenziós kapustruktúrát dolgozott ki, melynek lényege, hogy a tranzisztor aktív vagy passzív állapotát nem egy "felül", hanem mindkét oldalon elhelyezkedő kapu szabályozza, sőt a Nikkei Electronics híradása alapján a kapu körbeveszi az oxid-nitrid-oxid (ONO) filmmel bevont szilíciumot. Az újítások közé tartozik még, hogy a töltést nem a korábban megszokott, a Toshiba által kifejlesztett lebegőkapus jelenségre alapozzák, mely vezető anyagból épül fel, hanem egy szigetelőnek számító nitridből, vélhetően szintén az elektronok szivárgásának kezelése céljából.

A koreai alapkutatási eredmények természetesen mérföldekre vannak a tömegtermelhetőség megvalósításától, hiszen sem a használt anyagok jellemzői, sem az előállítási eljárás nem alkalmas gyártásra, ráadásul az ehhez szükséges félvezetőipari berendezések is nagyjából egy évtized távolságra vannak. Choi elmondta, hogy további erőfeszítések szükségesek ahhoz, hogy vékonyabb ONO filmréteget tudjanak képezni a vezetőkön, de elképzelhető, hogy alternatív anyagok kidolgozására is szükség lehet.

Jelenleg a Samsung, a világ legnagyobb flash-gyártója, 40 nanométeres flash-technológiát dolgozott ki kereskedelmi alkalmazhatósággal, mellyel már 32 gigabites, vagyis 4 gigabájtos chipek is gyárthatóak lesznek a közeljövőben. Ehhez már a koreai óriásnak is szakítania kellett a Toshiba több mint másfél évtizedes megoldásával, és a kutatócsoporthoz hasonlóan szintén nitrid réteget alkalmaz lebegő kapu helyett, amivel egyszerűsödik és kisebbedik a felépítés.

a címlapról

Hirdetés

Éles a HWSW mobile! programja

2019. november 14. 02:52

A legnagyobb hazai digitális termékfejlesztési konferencia 5 szekcióval, 90 előadóval, dedikált workshop nappal várja a látogatókat.