Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

A TSMC-nek is lesz 12 nanométere

Asztalos Olivér, 2016. november 30. 16:55
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

A marketing erejét hívhatja segítségül 12 nanométerrel jelöl gyártástechnológia eljárásánál a TSMC. A tajvani bérgyártó megoldása a 16 nanométeres család legfejlettebb tagját takarhatja majd, tehát az elnevezés most is csalóka lehet.

Régi-új gyártástechnológiával jelentkezhet a TSMC, a fejlesztést pedig 12 nanométerként bocsájtaná áruba a bérgyártó. Iparági pletykák szerint a megoldás a 16 nanométeres család legfejlettebb tagját takarhatja, mely teljesítmény és tranzisztorsűrűség szempontjából is kedvezőbb lehet a már elérhető variánsoknál. A lépéssel részben a GlobalFoundries szeptemberi bejelentésére reagálhat a TSMC, a konkurens bérgyártó ugyanis elsőként állt elő 12 nanométeres félvezetőgyártási eljárással, igaz ennek megjelenése legkorábban 2019-ben lehet esedékes.

A TSMC jelenleg két 16 nanométeres eljárást kínál, a tavaly tömeggyártásba került 16FF+ (FinFET Plus) mellett már egy kifejezetten fogyasztásra kihegyezett, 16FFC (FinFET Compact) jelölésű variáns is elérhető, melynek egyik kedvező tulajdonsága, hogy azzal egészen 0,55 voltig csökkenthető az üzemi feszültség, így az eljárás leginkább alacsony fogyasztású lapkákoz lehet jó választás, alkalmazásprocesszorokhoz vagy IoT eszközökhöz. Emellett 16FFC gyártási költségei is alacsonyabbak, ami ugyancsak fontos szempont az említett (olcsó) lapkák esetében.

A szóban forgó 12 nanométeres verzió ennek a fejlesztési vonalnak lehet a legutolsó állomása, vélhetően a legkedvezőbb paraméterekkel, bár a forrás nem beszél arról, hogy ez konkrétan mit jelenthet. A gyártástechnológiák életútjuk alatt folyamatos fejlődésen mennek keresztül, ezt legutóbb az Intel aknázta ki a Kaby Lake esetében. A 14NM+ jelölésű fejlesztésben a tervezők átszabták a FinFET tranzisztorok "uszonyainak" profilját, illetve javítottak a csatornák feszítettségén is. A módosítások hatására 12 százalékkal nőtt a tranzisztorok teljesítménye, ami lehetőséget adott az órajelek növelésére úgy, hogy közben a fogyasztási keret (TDP) a korábbi szinten maradhatott.

A jelenleg ismert információk birtokában ennél nem várható lényegesen nagyobb előrelépés a TSMC eljárástól, a bérgyártó inkább a marketing erejében bízik, a 12 nanométeres elnevezéssel próbálja a partnerek és befektetők számára vonzóbbá tenni a lehetőséget. Az irány nem új, legutóbb a GlobalFoundries 7 nanométere esetében beszélhettünk hasonlóról, amely bérgyártó pont az egyik kiváltója lehet a TSMC állítólagos lépésének. A tajvani cég ugyanis valószínűleg részben épp azokat a vásárlókat szeretné majd elhalászni, akik a GloFo FD-SOI eljárásaira építenének, melyekkel a konkurens elsősorban IoT-s és modemes lapkákat állítana majd elő, a 10 és 14 nanométeres eljárásokhoz képest olcsóbban.

Facebook

Mit gondolsz? Mondd el!

Adatvédelmi okokból az adott hír megosztása előtt mindig aktiválnod kell a gombot! Ezzel a megoldással harmadik fél nem tudja nyomon követni a tevékenységedet a HWSW-n, ez pedig közös érdekünk.