Szerző: Bodnár Ádám

2013. augusztus 15. 14:04

Itt az első Samsung SSD V-NAND chipekkel

A közelmúltban jelentette be a Samsung a V-NAND technológiát, ami vertikálisan rétegezett memóriachipeket alkalmaz a nagyobb teljesítmény és a fáradás hatásainak csökkentése érdekében. Elsőként vállalati kategóriás SSD-kbe kerül be az új technológia.

Bejelentette első V-NAND chipekre épülő SSD-it a Samsung. Az új technológia először vállalati kategóriás SSD-kben debütál, 960 és 480 gigabájtos kapacitású, 2,5 hüvelykes meghajtókban."A 3D V-NAND technológiánk, amely segítségével áttörtük a 10 nanométeres csíkszélesség körül jelentkező skálázódási akadályokat, lehetővé teszi a Samsung számára, hogy ügyfeleinek világszerte nagy sűrűséget és kivételes megbízhatóságot, valamint 20 százalékos teljesítménynövekedést és 40 százalékos energiatakarékossági javulást kínáljon" - mondta a Flash Memory Summit rendezvényen E.S Jung, a Samsung félvezetőipari kutatás-fejlesztési csoportjának vezetője.

Ahogy arról már írtunk, a NAND flash memóriacellák méretének csökkentésével azok élettartama és írási sebessége is meredeken esik a cellák közötti interferenciának köszönhetően, így a gyártástechnológia fejlődése, a csíkszélesség csökkenése kapacitássűrűségben előrelépését jelent, élettartamban és teljesítményben azonban visszalépés. A Samsung megoldása a problémára a vertikálisan rétegezett V-NAND, amely lecsökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ezzel javítva a memória sebességét és növelve annak élettartamát. A most közzétett adatok szerint a most bemutatott V-NAND SSD-k 35 ezer írási ciklust viselnek el fáradás nélkül - egy modern, 20 nanométeres osztályú MLC chip pár ezer ciklust bír mindössze.

A fáradás elsősorban vállalati környezetben jelent(het) problémát, a tipikusan éjjel-nappal működő szerverek és a rajtuk futó alkalmazások olyan mennyiségű adatot hoznak létre (pl. logokat), amely hamar "kifáraszthat" egy meghajtót. A gyártók ezért a kezdetektől fogva olyan algoritmusokat alkalmaznak az SSD-kben, amelyek segítségével a terhelés elosztható a cellákon, hogy a fáradás hatásai még később jelentkezzenek. Emellett jellemző, hogy a meghajtók tényleges kapacitása a névlegesnél nagyobb, és az esetleg elfáradt cellákat a rendelkezésre álló többletkapacitásból pótolja az SSD. A Samsung most bemutatott 960 gigabájtos névleges kapacitású meghajtója például 64 darab 128 gigabites chipből áll.

Az új SSD-k sorozatgyártása még ebben a hónapban elkezdődik, azonban hogy mikor kerülnek piacra és milyen áron, egyelőre nem tudni. Ami biztos, hogy a meghajtók szabványos 2,5 hüvelykes kivitelűek (SFF) lesznek, 7 milliméteres magassággal, és 6 Gbps sebességű SATA interfésszel.

a címlapról