Vertikálisan rétegzett Flash a Samsung műhelyéből
Bejelentette a világ első vertikálisan rétegzett NAND memóriáját a Samsung. A dél-koreai gyártónál a V-NAND lapkák már tömeggyártásba kerültek, így hamarosan a bolti termékekben is feltűnnek majd.
Vertikális rétegzéssel törné át a Samsung a NAND-lapkák skálázódási problémáit. A Flash-alapú memórialapkák problémája ugyanis, hogy a cellák méretének csökkentésével azok élettartama és írási sebessége is meredeken esik a cellák közötti interferenciának köszönhetően, így a gyártástechnológia fejlődése csak kapacitássűrűségben hoz előrelépését, élettartamban és teljesítményben azonban jellemzően visszalépés.
A gyártók ezt a fizikai problémát igyekeznek több oldalról is megkerülni, a HP és az Elpida memrisztor-alapú ReRAM-ja lassan sorozatgyártásúvá érik, a Crossbar pedig szintén a héten jelentette be RRAM névre keresztelt új generációs, a Flash leváltására készült technológiáját. A Samsung azonban egyelőre maradna a NAND-nál, a jelenlegi síkbeli elrendezés helyett azonban vertikális rétegzéssel készítené azokat. A gyártó szerint ezzel "kétszeres skálázódás" érhető el a huszon-nanométeres NAND-lapkákkal szemben.
Az AI és a nagy full-full-stack trend Az AI farvizén számos új informatikai munkakör születik, vagy már ismert munkák kapnak új nevet és vele extra elvárásokat is.
A most bejelentett V-NAND lapka a Charge Trap Flash (CTF) egy Samsung-féle implementációját használja adattárolásra. Ez a technológia szilícium-nitrid (SiN) szigetelő filmben tárolja a töltést, nem adalékolt (doped) kristályos vezető szilíciumban, mint a jóval elterjedtebb lebegőkapus MOSFET megközelítés. A CTF legnagyobb előnye itt, hogy látványosan lecsökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát. A Samsung még 2006-ban jelentette be, hogy aktívan fejleszti saját CTF-alapú NAND-lapkáit, az eltelt hét évben sikerült az új megközelítést adaptálni a kis csíkszélességű gyártástechnológiához és előkészíteni a sorozatgyártást.
A háromdimenziós cellák és a CTF kombinált használata a Samsung szerint a skálázódáson kívül a teljesítményproblémákon is sokat segít. A gyártó által közölt adatok szerint a megbízhatóság (írási ciklusok száma) tízszeres, a sebesség pedig kétszeres a konvencionális tizen-nanométeres lebegőkapus Flash-hez képest.
A gyártó ígérete szerint a fejlesztés a jövőben sem áll le. "A világelső 3D Vertical NAND tömeggyártása után folyamatosan fogjuk bevezetni a nagyobb teljesítményű és nagyobb kapacitássűrűségű 3D V-NAND termékeket, amelyek hozzá fognak járulni a globális memória-ipar bővüléséhez" - mondta a Samsung Flash memoriákért felelős alelnöke, Jeong Hyuk-Choi.