Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Legalább százmilliószor írható flash memóriát fejlesztettek ki Japánban

Bodnár Ádám, 2008. július 14. 16:03
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

[Nanowerk] Japánban olyan flash memóriacellát fejlesztettek ki, amely akár százmilliószor is újraírható, így az élettartama évtizedekben mérhető, szemben a mai megoldásokkal, amelyek intenzív (értsd: napi 24 órás folyamatos) használat mellett néhány év alatt elöregednek.

hirdetés
[Nanowerk] Japánban olyan flash memóriacellát fejlesztettek ki, amely akár százmilliószor is újraírható, így az élettartama évtizedekben mérhető, szemben a mai megoldásokkal, amelyek intenzív (értsd: napi 24 órás folyamatos) használat mellett néhány év alatt elöregednek.

A tartalmukat kikapcsolás után is megőrző flash memóriákat ma már számos területen használják. Egy MP3-játszó, pendrive vagy memóriakártya eseténben nem annyira fontos, hogy a memóriacellák néhány százezer írás után elfáradnak és csak olvashatóvá válnak, de a flash memórián alapuló lemezmeghajtók (SSD-k) megjelenésével a téma az érdeklődés homlokterébe került -- sokan félnek attól, hogy a méregdrágán megvásárolt SSD-jük hamar bemondja az unalmast. Hétköznapi használat mellett egy SSD még így is előbb értéktelenedik el teljesen, mint hogy elfáradna.

Fe-NAND flash memóriacella
Fe-NAND flash memóriacella

A jelenlegi flash memóriák 30 nanométeresnél fejlettebb technológiával nemigen gyárthatók a cellák fizikai felépítéséből adódó korlátok miatt, ráadásul a csíkszélesség csökkenésével együtt a cellák egyre kevesebb írási ciklust bírnak ki.

A Tokiói Egyetem és a japán National Institute of Advanced Industrial Science and Technology együttműködésében most kifejlesztett ferroelekromos (Fe-NAND) memóriacella az első tesztek szerint akár százmilliószor is írható, vagyis az életciklusa sokszorosa a ma elterjedt megoldásokénak. A memória nem csak strapabíróbb, hanem alacsonyabb feszültsége miatt kevesebbet is fogyaszt, ráadásul felépítéséből adódóan akár 10 nanométeres csíkszélességgel is gyártható, vagyis a memóriachipek kapacitása gazdaságosan növelhető a következő évtizedben is.