Szerző: Bizó Dániel

2007. október 24. 14:19:24

Szakadatlanul duplázza flash memóriachipjeinek kapacitását a Samsung

[The Korea Times/HWSW] Bemutatta a világ első 64 gigabites, vagyis 8 gigabájt kapacitású flash memóriachipjét a Samsung Electronics. A dél-koreai vállalat ezzel tovább tolta ki Hwang törvényének érvényességét, mely a NAND flash chipek kapacitásának évenkénti megduplázódását takarja. A chip négyszer nagyobb kapacitású a jelenleg tömegtermelésben lévőknél, és akár 128 gigabájtos memóriakártyák is építhetőek segítségével.

[The Korea Times/HWSW] Bemutatta a világ első 64 gigabites, vagyis 8 gigabájt kapacitású flash memóriachipjét a Samsung Electronics. A dél-koreai vállalat ezzel tovább tolta ki Hwang törvényének érvényességét, mely a NAND flash chipek kapacitásának évenkénti megduplázódását takarja. A chip négyszer nagyobb kapacitású a jelenleg tömegtermelésben lévőknél, és akár 128 gigabájtos memóriakártyák is építhetőek segítségével.

Nincs megállás

A Samsung Electronics, mely a világ legnagyobb DRAM- és NAND-gyártója, élen jár a nagykapacitású flash chipek kifejlesztésében és bevezetésében. A cég jellemzően két évvel a kereskedelmi alkalmazást megelőzően mutatja be a nyilvánosság előtt új fejlesztéseit, vagyis nagyjából ennyi idő telik el a laboratóriumi megvalósítás és a tömegtermelés között. A 64 gigabites chip gyártása 2009 második felére esedékes, ekkor áll majd bevetésre készen ugyanis a szükséges 30 nanométeres csíkszélességet alkalmazó gyártási eljárás. Jelenleg az 50 nanométeres termelés felfuttatása folyik, mellyel 16 gigabites lapkák kerülnek előállításra, míg jövőre az elsőként tavaly demózott 32 gigabites chipek várhatóak 40 nanométeren.

Míg a logikai áramkörök (például processzor) esetében Moore törvényére hivatkozunk, addig a memóriák világában a Samsung önjelölt módon Hwang törvényét emlegeti. Hwang Csang-gju a Samsung Electronics elnök-vezérigazgatója és elnöke, aki négy évvel ezelőtt állapította meg, hogy a flash memóriachipek kapacitása évente megduplázódik. Mint tudjuk, az inteles Gordon Moore szerint a félvezető-technológia fejlődésével másfél-kétévente lehetséges megduplázni az integrált tranzisztorok számát. Az ezredfordulón a legnagyobb kapacitású flash-chipek még csak 256 megabitet voltak képesek tárolni, azaz 32 megabájtot, a mai 2 gigabájtos változatok ennek 64-szeresét hordozhatják.

Hatalmas piaci potenciál

A Samsung nem véletlenül tesz meg mindent, hogy élen járjon a nagykapacitású memóriachipek kifejlesztésében. A vállalat ugyanis a chip tömegtermelésének megkezdését követően két év alatt 20 milliárd dolláros forgalmat vár a 64 gigabites vagy még nagyobb kapacitású chipek értékesítéséből. Az iSuppli piackutató vállalat szerint a NAND-flash számítógépes felhasználása iránti kereslet évente átlagosan 450 százalékkal növekszik, amit a hordozható memóriamodulok mellett kétségtelenül a beágyazott vagy beépített tárolók fognak képezni -- ezen időszak alatt kezdődik meg a merevlemez kiszorítása az alacsonyabb kapacitást, de nagyobb sebességet, megbízhatóságot vagy alacsonyabb fogyasztást igénylő szegmensekből.

A Samsung a világ egyértelműen vezető NAND-gyártója volt az idei második negyedévben, megelőzve a Toshibát és a Hynixot. Az iSuppli adatai szerint részesedése 3 milliárd dolláros háromhavi forgalomból a 46 százalékot közelítette, míg a Toshiba 27,5, a Hynix pedig 14,6 százalékot ért el. Szintén az iSupplié az az előrejelzés, mely szerint 2009 végére az új notebookok többségébe valamilyen formában (gyorsító, hibrid merevlemez, flash-memóriából felépülő meghajtó) kerül flash-memória, amit a hordozhatóság szempontjából előnyös technikai jellemzői, valamint meredeken zuhanó áruk magyaráznak.

Tőkebarát gyártástechnológia

A Samsung állítása szerint a chip készítéséhez kifejlesztett félvezető gyártástechnológiával további beruházások nélkül akár 20-nanométeres csíkszélesség is elérhető. A vállalat úgynevezett self-aligned double patterning félvezetőeljárást alkalmaz, aminek hatalmas előnye, hogy 193 nanométeres hullámhosszúságú fényt alkalmazó száraz litográfiai berendezésekkel is elérhető a 30-nanométeres, sőt a Samsung állítása szerint a 20 nanométeres csíkszélesség is, ami azt jelenti, hogy nem szükséges csillagászati összegeket új eszközök vásárlásába ölni.

A double patterning lényege, hogy a lapkán a struktúrák nem egy mintázat (maszk) segítségével jönnek létre, hanem valamilyen technikával több mintázatot kombinálnak egymáson, ezzel csökkentve a méreteket. A legkézenfekvőbb megoldás, hogy egy fényérzékeny réteget egymás után kétszer világítanak le egymást kiegészítő maszkokkal. Az eljárás hátránya, hogy adott gyártósornak csökken ezzel a kapacitása, valamint a gyártási lépések növekvő száma miatt romlik a selejtarány is.

a címlapról