Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Új memóriák a Samsungtól

Bodnár Ádám, 2003. október 20. 12:10
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

A világ vezető DRAM-gyártója, és a flash memória piac második legnagyobb szereplője, a Samsung Electronics bemutatta a világ első 70 nanométeres csíkszélességű, 4 Gigabit kapacitású NAND Flash memóriáját és egy 80 nanométeres csíkszélességgel gyártott DRAM chipet. Emellett a vállalat bejelentett egy Fusion Memory nevű egylapkás memóriamegoldást is, amely a többlapkás csomagot és a rendszercsomag koncepciót viszi tovább a memóriát és a logikát egyesítő termék felé.

[HWSW] A világ vezető DRAM-gyártója, és a flash memória piac második legnagyobb szereplője, a Samsung Electronics bemutatta a világ első 70 nanométeres csíkszélességű, 4 Gigabit kapacitású NAND Flash memóriáját és egy 80 nanométeres csíkszélességgel gyártott DRAM chipet. Emellett a vállalat bejelentett egy Fusion Memory nevű egylapkás memóriamegoldást is, amely a többlapkás csomagot és a rendszercsomag koncepciót viszi tovább a memóriát és a logikát egyesítő termék felé.

A Samsung 4 Gb kapacitású NAND flash memóriája 70 nanométeres csíkszélességgel készül, egy memóriacella mindössze 0,025 um2 méretű, mely jelenleg a legkisebb. A 4 Gb NAND flash memória az iparág első eszköze, mely 300 angström méretű wolfram kaput használ, amely csökkenti a cellák közötti ellenállást és a zajszintet, így nagyobb teljesítményt kínál. A Samsung azt reméli, hogy az új wolfram kapu alkalmazható lesz 50 nm-es technológiákhoz is.

A Samsung egy 80 nanométeres technológiával készülő 512 Mb kapacitású DRAM-chipet is bemutatott. A DRAM 80 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiájának bemutatása egy, a lineáris cellaszerkezetnél kisebb területet igénylő háromdimenziós tervezési technológiát vezet be. Az RCAT technológia a DRAM áramkör kapcsolási sémájában minden kondenzátorhoz egy háromdimenziós tranzisztort párosít, így minimalizálja a cellaméretet és növeli a kapacitást. Az új DRAM kis ellenállású wolfram kapukat használ a nagyobb teljesítmény és kis hőmérséklet eléréséhez.

Az új 4 Gb NAND flash és 80 nm DRAM eszközök mellett a Samsung bemutatott egy Fusion Memory nevű új memóriatervezési koncepciót is. A Fusion Memory egy integrált, egylapkás memória, amely egyesíti a nagy sűrűségű memóriát és logikát. Az első Fusion Memory eszköz a OneNAND nevű, egy szilíciumlapkára épített, logikai felülettel rendelkező 512 Mb kapacitású NAND flash memória. A OneNAND elérhetősége csökkenteni fogja a rendszergyártók költségeit és a piacra kerülés időtartamát, mivel nem lesz szükség a NAND flash körüli rendszerkörnyezet optimalizálására.

A Samsung arra számít, hogy az új technológia segíti a csak NAND memóriákra épülő rendszerek elfogadását a NOR Flash+memória kombinációk helyettesítő megoldásaként a nagy adatfeldolgozási teljesítményt igénylő alkalmazásokban.