Szerző: Bodnár Ádám

2002. szeptember 9. 18:20

A HP elkészítette a világ legnagyobb adatsűrűségű memóriáját

[SBN] A HP Labs ma jelentette be, hogy a vállalat kutatóinak sikerült elkészítenie egy olyan apró memória-áramkört, amely kevesebb, mint egy négyzetmikronnyi területen helyezkedik el. E mikroszkopikus, 64 bites memóriából 10 000 darab férne el egyetlen emberi hajszál végén. A felfedezést Stanley Williams, a HP Labs kutatója és a kvantumfizikai részleg igazgatója ismertette a svéd Királyi Technológiai Intézet fennállásának 175. évfordulója alkalmából rendezett konferencián.

[SBN] A HP Labs ma jelentette be, hogy a vállalat kutatóinak sikerült elkészítenie egy olyan apró memória-áramkört, amely kevesebb, mint egy négyzetmikronnyi területen helyezkedik el. E mikroszkopikus, 64 bites memóriából 10 000 darab férne el egyetlen emberi hajszál végén. A felfedezést Stanley Williams, a HP Labs kutatója és a kvantumfizikai részleg igazgatója ismertette a svéd Királyi Technológiai Intézet fennállásának 175. évfordulója alkalmából rendezett konferencián.

Mint Williams elmondta, a bemutatott molekuláris memória a világ legnagyobb sűrűségű áramvezérlésű memóriája: a 64 bit tárolására képes chip bitsűrűsége több mint tízszerese a jelenleg használatos szilícium alapú memóriákénak.


A) a 625 darab áramkört tartalmazó wafer; B) a memória-áramkörök kivezetései által rajzolt alakzatok; C) egyetlen chip kivezetései, itt még a memóriatömb nem látható; D, E, F) nagyítás a memória huzalozásáról

Az áramkört a kutatók az ún. nano-imprint technológiával készítették el, ami tulajdonképpen annyit jelent, hogy egy mintát tartalmazó nyomólemezt használnak a szilíciumszeletre történő nyomtatáshoz. Williams szerint e gyártástechnológia gyors és olcsó is.

A "nyomtatás" folyamatában először egy 8 darab, 40 nanométer széles párhuzamos vonalat ábrázoló mintát készítettek el. Ezt használták nyomólemezként, amikor a szilíciumszelet polimer rétegén létrehozták a 8 bemélyedést, melyeket aztán platinával töltöttek fel, s így kialakult nyolc párhuzamos vezeték. Ennek a tetejére molekuláris vastagságú, elektromosságra érzékeny anyagot vittek fel, majd a műveletet megismételték úgy, hogy a nyomólemezt 90 fokkal elfordították: így alakult ki a vezetékek mátrixszerű elrendezése.

A vezetékek metszéspontjában a két platinaréteg között lévő körülbelül 1000 molekula tárolja a biteket. Az információ árammal írható és olvasható. Williams elmondása szerint az így készült memória újraírható és nem felejtő, azaz a DRAM-cellákkal ellentétben nincs szükség az egyes bitek szabályos időközönkénti frissítésére, és az információt a cellák az áram kikapcsolás után is megőrzik.

A kutató kiemelte, hogy a szilíciumszeletre 625 memória-áramkört nyomtató nyomólemez elkészítése mindössze egy napot vett igénybe, míg maga a nyomtatás csupán percek kérdése.

Nagyon széles az a skála, amin az állásinterjú visszajelzések tartalmi minősége mozog: túl rövid, túl hosszú, semmitmondó, értelmetlen vagy semmi. A friss heti kraftie hírlevélben ezt jártuk körül. Ha tetszett a cikk, iratkozz fel, és minden héten elküldjük emailben a legfrissebbet!

a címlapról