Nagysűrűségű RRAM váltaná a Flash-t

Új, a NAND háttértárat leváltó félvezető-technológiát mutatott be a Crossbar. A Flash-veteránok által alapított startup eddig teljes titoktartás mellett működött, ma azonban a csoport bejelentette, hogy rezisztív RAM (RRAM) névre keresztelt új memóriatechnológián dolgozik, amely a NAND-hoz képest jóval nagyobb kapacitású, alacsonyabb fogyasztású és egy nagyságrenddel nagyobb élettartamú.

A Crossbar igen rövid tájékoztatója szerint a RRAM az úgynevezett nem-volatilis memóriák közé tartozik, vagyis a RAM-mal ellentétben nem szükséges folyamatos áramellátás az adatok megőrzéséhez. Az igen elterjednek számító NAND/Flash memóriával szemben a RRAM a cég szerint számos előnyt vonultat fel, a leggyorsabb NAND-nál 20-szor gyorsabb írási sebességgel rendelkezik és 20-szor alacsonyabb fogyasztást produkált. A Crossbar merész állításai szerint a RRAM mintegy 10-szer akkora élettartammal is rendelkezik, mint a NAND-lapkák, miközben egy terabájt adat tárolásához csak 200 négyzetmilliméternyi szilíciumot igényel. A cég sajtóközleménye szerint a RRAM nagyon könnyen implementálható a jelenleg használatos félvezetőipari eljárásokon, így bevezetése nem késlelteti a RRAM-ot is használó rendszerlapkák bevezetését.

A Crossbar ígéreteinek a cég háttere ad némi hitelt. George Minassian, a startup elnök-vezérigazgatója és alapítója igen tapasztaltnak számít félvezetőgyártásban, 19 évig dolgozott az AMD-nél, majd a 2005-ben leválasztott Spansion alelnöki pozíciójában tevékenykedett öt évig, több mint három éve pedig a Crossbart vezeti. A Crossbar mögött komoly befektetési alapok sorakoztak fel, beszállt már a Kleiner Perkins, a Northern Light és az Artiman Ventures is, a most kiadott sajtóközlemény valószínűleg a harmadik körös tőkebevonás előtti étvágygerjesztőnek készült.

A cég által feltöltött videó rövid magyarázata szerint a RRAM három egyszerű rétegből áll, az alsó nem-fém és a felső fém elektróda között amorf (nem kristályos) szilícium található. Ahogy a két elektródára feszültséget kapcsolunk, a köztes rétegben vékony vezető fonalak keletkeznek, amelyek zárják az áramkört. A publikált, igen szűkszavú műszaki leírás szerint egy-egy cella programozása így mintegy 64 pikojoule, szemben a NAND 1360 pJ-s értékével, míg egy-egy cella akár egymilliós nagyságrendben is újraírható, szemben a modern, 1x nanométeres NAND néhány ezer ciklusával.

Égbe révedő informatikusok: az Időkép-sztori Mi fán terem az előrejelzés, hogy milyen infrastruktúra dolgozik az Időkép alatt, mi várható a deep learning modellek térnyerésével?

A technológia kifejlesztésével ugyanis a történet nem ért még véget, a RRAM piaci bevezetése még nagyon messze van. A Crossbar jövő évtől tervezi licencelni a technológiát SoC (rendszerlapka) gyártók és szilícium-bérgyártók felé, a boltok polcaira így leghamarabb 2015 végén, 2016-ban kerülhetnének RRAM-alapú lapkák, vagyis a licencdíjak is csak ettől fogva kezdenek készpénzt termelni.

Csend van a memrisztor körül

A NAND-memóriák leváltására nem csak a Crossbar tesz erőfeszítéseket, hasonló problémákat igyekszik megoldani a HP memrisztor-technológiája is. A memrisztor-alapú memóriák piaci bevezetését a HP 2013-ra ígérte, a kétéves tervek szerint idén már az SSD-k piacán, jövőre vagy két év múlva pedig a DRAM, azután pedig az SRAM piacát forgatná fel a memrisztor. A technológia fejlesztéseiről azonban a gyártó azóta nagyon hallgat, így idén már várhatóan nem jelennek meg a különleges új eszközök.

A memrisztor (memória rezisztor) a negyedik áramköri alapelem, amelynek létezését már a 70-es években megjósolták de egészen 2008-ig senkinek sem sikerült a gyakorlatban megvalósítania. A memrisztor egyedülálló tulajdonsága, hogy a rajta átfolyó áram erősségétől és irányától függően változtatja az ellenállását, és ezt azután is megőrzi, hogy az áramot kikapcsolták. Ezt a képességet a többi áramköri alapelem semmiféle kombinációjával nem lehet reprodukálni, ezért lesz a memrisztor a kondenzátorhoz, ellenálláshoz és induktorhoz hasonlóan áramköri alapelem.