Az Intel kutatói megépítették a világ leggyorsabb szilíciumtranzisztorait
Az Intel Labs munkatársai tegnap, a félvezetőkre szakosodott mérnökök és tudósok számára megrendezett Silicon Nanoelectronics Workshop keretében számoltak be az eredményről a japán Kiotó városában.
"Ez a bejelentés is igazolja, hogy az Intel előrehaladott kutatásokat folytat a szilíciumra épülő nanotechnológia területén" - nyilatkozta Dr. Gerald Marcyk, az Intel Technology and Manufacturing Group komponenskutató-laboratóriumának igazgatója. "Eredményünk tanúbizonysága szerint a jelenlegi technológiához képest még legalább három generációra ki tudjuk terjeszteni Moore törvényének érvényességét." Számos kutató vélekedése szerint a nanotechnológia a jövőben kiváltja majd a szilíciumot, ám az Intel bebizonyította, hogy a két technológia valójában jól kiegészíti egymást.
"A szilíciumtranzisztorok további méretcsökkentésének, úgy tűnik, egyelőre semmi nem szab határt" - fűzte hozzá Dr. Robert Chau, az Intel vezető mérnökeinek egyike és az Intel Logic Technology Development tranzisztorkutatásért felelős igazgatója. Az Intel Labs kutatói által bemutatott 20 nanométeres tranzisztorok 30 százalékkal kisebbek és 25 százalékkel gyorsabbak a jelenlegi sebességrekordot tartó elődeiknél, amelyeket tavaly szintén az Intel munkatársai fejlesztettek ki. A tranzisztorok sebessége fordítottan arányos méretükkel, a gyors tranzisztorok pedig a számítógépek és egyéb intelligens eszközök agyaként szolgáló mikroprocesszorok legfontosabb alkotóelemei. Ezek a tranzisztorok adják majd az Intel 45 nanométeres (0,045 mikronos) processzorgenerációjának alapját. A vállalat várhatóan 2007-ben kezdi meg az új processzorok gyártását.
Az új tranzisztorok, amelyek kapcsolóhoz hasonlóan szabályozzák a mikrochipen belüli elektronáramlást, másodpercenként több mint egybillió alkalommal kapcsolódnak ki és be. A felhasználásukkal megépített mikroprocesszorok közel egymilliárd számítást tudnak majd elvégezni egyetlen szempillantás alatt, négymillió művelet végrehajtásához pedig mindössze annyi időre lesz szükségük, amennyi alatt egy száguldó puskagolyó 2,5 centimétert tesz meg a levegőben. Az Intel kutatói a méret további jelentős csökkentése révén voltak képesek megépíteni az új, miniatűr tranzisztorokat.
A kialakításukhoz használt kapuoxid (szilíciumoxid szigetelő réteg) vastagsága mindössze három atomréteg. Ahhoz, hogy egy papírlap vastagságát elérjük, több mint 100 000 ilyen oxidrétegre lenne szükségünk. A kísérleti tranzisztoroknál az is jelentős eredmény, hogy miközben jellemzőiket tekintve generációkkal megelőzik a gyártási folyamatban jelenleg használt legfejlettebb technológiákat, ugyanazokra a fizikai struktúrákra és alapanyagokra épülnek, mint napjaink számítógépes lapkái. Az új tranzisztorok sorozatgyártásának megkezdésekor az Intel várhatóan már a jelenlegitől eltérő típusú kapuoxid anyagot használ majd.