Egy terabájtos a Samsung új SSD-je
A Samsung tavaly nyáron dobta piacra első, V-NAND flashmemóriára épülő SSD-it, elsősorban vállalatok számára, most a technológia a konzumer szegmensbe is megérkezett. A cég új 2,5" SSD-i akár 1 terabájtos kivitelben is kaphatók.
Gyártásba dobta 845 DC EVO flashmemóriás meghajtóit a Samsung, a legújabb SSD-k már második generációs V-NAND memóriachipeket tartalmaznak. A NAND flash memóriacellák méretének csökkentésével azok kapacitássűrűsége nő, de élettartama és írási sebessége meredeken esik a cellák közötti interferenciának köszönhetően.
Mivel a vásárlók legfontosabb kifogása az SSD-kkel kapcsolatban általában a relatív kis kapacitás, a gyártók először ezen próbáltak meg javítani, ún. MLC (multi level cell) memóriák alkalmazásával. Ilyenkor egy memóriacella több bitnyi információt tárol, korábban elterjedtek voltak a cellánként 2 bitet tároló chipek, ma már a 3 bit se ritka. Ennek a megközelítésnek a problémája, hogy a flashmemória gyorsabban fárad mert az írási műveletek többször érintenek egy cellát. Ha valamelyik tárolt bit módosul, az egész cellát újra kell írni, ami hamar fáradáshoz vezet.
A vevők azonban - érthető módon - egyszerre igényelnek nagyobb kapacitású és gyorsabb SSD-ket, amelyek éveken keresztül is megbízhatóan használható, fáradás nélkül, a memóriagyártóknak új eljárásokat kell kidolgozniuk. A Samsung megoldása a problémára a vertikálisan rétegezett V-NAND, amely lecsökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ezzel javítva a memória sebességét és növelve annak élettartamát. A V-NAND flashmemória-cellák a Samsung által közölt adatok szerint több tízezer írási ciklust is elviselnek fáradás nélkül, miközben a modern, 20 nanométer körüli csíkszélességgel gyártott MLC cellák már néhány ezer ciklus után elkezdenek elfáradni: a tartalmukat megőrzik, de újraírni őket már nem lehet.
Rust? Kubernetes? FinOps? Melyiket válasszam? Egy jó karrierdöntéshez sok apróság szükséges. Egy alapos hazai technológiai körkép azoban még hiányzott. Végre van ilyen, és a 21. kraftie adásban kidumáltuk.
A koreai cég szerint emellett a V-NAND előrelépés teljesítményben és energiahatékonyságban is. A V-NAND a vertikális rétegezésnek köszönhetően azt az előnyt is biztosítja a gyártók számára, hogy a nagy kapacitású eszközök mérete nem nő kezelhetetlen méretűre - a Samsung az első generációs V-NAND esetén 24, most pedig már 32 memóriachipet rétegez egymásra, egy tokba.
A koreai cég tavaly ősszel dobta piacra első generációs V-NAND chipekre épülő SSD-it, elsősorban vállalati felhasználásra, most pedig bemutatta otthoni kategóriás V-NAND meghajtóit is. Az új 840 EVO meghajtók legnagyobbika 1 terabájtos, de a család kisebb tagjai 512, 256 és 128 gigabájtos kivitelben is elérhetők. A vállalat céges felhasználásra, szerverekbe, tárolókba is kínál V-NAND SSD-ket, a PM853T sorozatú meghajtók 240, 480 és 960 gigabájtos kapacitással érhetők el, maximális írási sebességük 14 ezer IOPS, olvasás esetén pedig 90 ezer IOPS.
Szeretnél többet tudni a flash memória alkalmazásáról vállalati tárolókban? Ott a helyed a HWSW App!system konferencián június 4-én! A részletes program és a regisztrációs űrlap elérhető az esemény weboldalán!