Egy terabájtos a Samsung új SSD-je
A Samsung tavaly nyáron dobta piacra első, V-NAND flashmemóriára épülő SSD-it, elsősorban vállalatok számára, most a technológia a konzumer szegmensbe is megérkezett. A cég új 2,5" SSD-i akár 1 terabájtos kivitelben is kaphatók.
Gyártásba dobta 845 DC EVO flashmemóriás meghajtóit a Samsung, a legújabb SSD-k már második generációs V-NAND memóriachipeket tartalmaznak. A NAND flash memóriacellák méretének csökkentésével azok kapacitássűrűsége nő, de élettartama és írási sebessége meredeken esik a cellák közötti interferenciának köszönhetően.
Mivel a vásárlók legfontosabb kifogása az SSD-kkel kapcsolatban általában a relatív kis kapacitás, a gyártók először ezen próbáltak meg javítani, ún. MLC (multi level cell) memóriák alkalmazásával. Ilyenkor egy memóriacella több bitnyi információt tárol, korábban elterjedtek voltak a cellánként 2 bitet tároló chipek, ma már a 3 bit se ritka. Ennek a megközelítésnek a problémája, hogy a flashmemória gyorsabban fárad mert az írási műveletek többször érintenek egy cellát. Ha valamelyik tárolt bit módosul, az egész cellát újra kell írni, ami hamar fáradáshoz vezet.
A vevők azonban - érthető módon - egyszerre igényelnek nagyobb kapacitású és gyorsabb SSD-ket, amelyek éveken keresztül is megbízhatóan használható, fáradás nélkül, a memóriagyártóknak új eljárásokat kell kidolgozniuk. A Samsung megoldása a problémára a vertikálisan rétegezett V-NAND, amely lecsökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ezzel javítva a memória sebességét és növelve annak élettartamát. A V-NAND flashmemória-cellák a Samsung által közölt adatok szerint több tízezer írási ciklust is elviselnek fáradás nélkül, miközben a modern, 20 nanométer körüli csíkszélességgel gyártott MLC cellák már néhány ezer ciklus után elkezdenek elfáradni: a tartalmukat megőrzik, de újraírni őket már nem lehet.
Az AI és a nagy full-full-stack trend Az AI farvizén számos új informatikai munkakör születik, vagy már ismert munkák kapnak új nevet és vele extra elvárásokat is.
A koreai cég szerint emellett a V-NAND előrelépés teljesítményben és energiahatékonyságban is. A V-NAND a vertikális rétegezésnek köszönhetően azt az előnyt is biztosítja a gyártók számára, hogy a nagy kapacitású eszközök mérete nem nő kezelhetetlen méretűre - a Samsung az első generációs V-NAND esetén 24, most pedig már 32 memóriachipet rétegez egymásra, egy tokba.
A koreai cég tavaly ősszel dobta piacra első generációs V-NAND chipekre épülő SSD-it, elsősorban vállalati felhasználásra, most pedig bemutatta otthoni kategóriás V-NAND meghajtóit is. Az új 840 EVO meghajtók legnagyobbika 1 terabájtos, de a család kisebb tagjai 512, 256 és 128 gigabájtos kivitelben is elérhetők. A vállalat céges felhasználásra, szerverekbe, tárolókba is kínál V-NAND SSD-ket, a PM853T sorozatú meghajtók 240, 480 és 960 gigabájtos kapacitással érhetők el, maximális írási sebességük 14 ezer IOPS, olvasás esetén pedig 90 ezer IOPS.
Szeretnél többet tudni a flash memória alkalmazásáról vállalati tárolókban? Ott a helyed a HWSW App!system konferencián június 4-én! A részletes program és a regisztrációs űrlap elérhető az esemény weboldalán!