:

Szerző: mz

2000. március 15. 22:26

3 voltos FRAM

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.
Az FRAM nagyteljesítményű, nemfelejtő memóriatípus, melynek működési feszültsége az idők során 5 volton "felejtődött", emiatt alkalmazási területei közül kimaradtak a mobil eszközök. Az új memóriák elérhetőségét az év végére tervezik.

Szeptember 15-én, hétfőn ONLINE formátumú, a Kafka alapjaiba bevezető képzést indít a HWSW, ezért most összefoglaltuk röviden, hogy miért érdemes részt venni ezen a tanfolyamon.

a címlapról

MS

0

Lezárta a Teams-ügyet az EU

2025. szeptember 12. 12:45

A Bizottság elfogadta a Microsoft által tett engedményeket, nincs retorzió az idestova öt éve húzódó eljárás végén.

bango

7

Tartalomautomatával bővül a OneTV

2025. szeptember 12. 09:27

A One tévés platformjába a Bango DVM-jét integrálják, ami jelentős mértékben megkönnyíti az új tartalomszolgáltatások bevezetését.