:

Szerző: mz

2000. március 15. 22:26

3 voltos FRAM

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.
Az FRAM nagyteljesítményű, nemfelejtő memóriatípus, melynek működési feszültsége az idők során 5 volton "felejtődött", emiatt alkalmazási területei közül kimaradtak a mobil eszközök. Az új memóriák elérhetőségét az év végére tervezik.

Október 13-án 6 alkalmas, 18 órás CI/CD alapozó képzést indítunk. Az élő képzések órái utólag is visszanézhetők, és munkaidő végén kezdődnek.

a címlapról

roszkoszmosz

14

Saját Starlink-riválist indít Oroszország

2025. szeptember 17. 13:43

Az első indítások idén év végén jöhetnek, 2035-re valósulhat meg a teljes, országos lefedettség, beleértve az Észak-sarkvidéket.