Szerző: mz

2000. március 15. 22:26

3 voltos FRAM

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.

Az amerikai Ramtron International Corporation bejelentette, hogy megkezdte a 3 voltos feszültségen üzemelő FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chipek fejlesztését. Az új memóriák a mobil és nagyteljesítményű alkalmazásokban bírnak jelentőséggel, hiszen ezekben különösen fontos a gyors memóriaírási sebesség, az alacsony energiafogyasztás és a tartósság.
Az FRAM nagyteljesítményű, nemfelejtő memóriatípus, melynek működési feszültsége az idők során 5 volton "felejtődött", emiatt alkalmazási területei közül kimaradtak a mobil eszközök. Az új memóriák elérhetőségét az év végére tervezik.

A nyári leállás után, október 5-én és 7-én az Amazon felhőszolgáltatása és a microservicek témája köré épülő meetupokkal indul újra a HWSW free! meetup-sorozat.

a címlapról

Hirdetés

AWS és microservice meetupokkal kezdjük az őszt!

2021. szeptember 19. 12:19

A nyári leállás után, október 5-én és 7-én az Amazon felhőszolgáltatása és a microservicek témája köré épülő meetupokkal indul újra a HWSW free! meetup-sorozat.