Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres
Ősszel is lesz HWSW free! Alkalmazott AI meetup és agilis fejlesztői meetup a módszertanok dzsungeléből, szeptember 24-25-én.

Exkluzív jogot szerzett Z-RAM gyártására a Hynix

Bizó Dániel, 2007. augusztus 15. 14:59
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

A dél-koreai memóriagyártó exkluzív jogot szerzett ugyanis az úgynevezett Z-RAM chipek gyártására, melyek a jelenleg alkalmazott DRAM-technológiákat válthatják ki rendkívüli kapacitássűrűségük révén. A világ második legnagyobb DRAM-gyártója nem kevesebbet akar elérni, minthogy tíz éven belül a világ legnagyobb félvezetőgyártójává váljon, megelőzve ezzel többek között az Intelt és a Samsungot is.

hirdetés
A Hynix tegnap közölte, hogy exkluzív jogot szerzett a svájci Innovative Silicon által kifejlesztett Z-RAM technológiára épülő memóriachipek fejlesztésére és gyártására a következő három évre. Az exkluzivitás a vállalat riválisait, legfőképpen a Samsungot, három éven keresztül távol tartja ettől a területtől. Nagyjából ugyanennyi idő alatt kerülhetnek tömegtermelésre az első Z-RAM memóriachipek, vagyis a Hynix 2-3 éves előnyre tehet szert a memóriapiacon. A közel 240 milliárd dolláros teljes félvezetőpiacból a vállalat tavaly 3 százalékot szakított ki, így a hetedik legnagyobbnak számított. A vállalat idén 10, az évtized végére viszont már 18 milliárd, 2012-re pedig 25 milliárd dolláros forgalmat akar látni.

A Z-RAM előnye a DRAM-mal szemben, hogy nem igényel kondenzátort (neve is ebből ered, zero-capacitor), így egy cella struktúrája nemcsak egyszerűbb, de kisebb is. A Z-RAM ráadásul lehetőséget kínál a tervezők számára, hogy a méretet, vagyis kapacitássűrűség és a chip sebesség között egyensúlyozzanak, ugyanis relatíve nagyobb méretek mellett a DRAM sebességének többszörösét is képes lehet elérni, vagy hasonló sebességen kisebb (nagyjából feleakkora) méretet, vagyis nagyobb kapacitást vagy olcsóbb termelhetőséget.

A Hynix és az Innovative szerint a Z-RAM-mal egy új éra kezdődhet a számítástechnikában, ahogyan a DRAM és flash megjelenésével is, aminek megvalósítása érdekében a két vállalat mérnökei közösen dolgoznak majd az Innovative kaliforniai, valamint a Hynix dél-koreai kutatás-fejlesztési laborjában. A vállalat szerint gyökeres változásokat fog hozni a technológia a jelenlegi DRAM-iparban, ahogyan a számítógépek memóriáját tervezik és gyártják. A DRAM-piac értéke tavaly 33 milliárd dollárt tett ki, a Hynix pedig a tavalyi évet közel 20 százalékos részesedéssel zárta a 28 százalékkal vezető Samsung mögött.

A Z-RAM hátránya, hogy speciális gyártástechnológiát, az AMD és az IBM processzorai előállításához is alkalmazott úgynevezett silicon-on-insulator (szilícium a szigetelőn) eljárást igényel. A sugárzással szemben ellenállóbb és alacsonyabb fogyasztású SOI-gyártás drágább a hagyományos félvezető eljárásoknál, és defekciós rátája is magasabb valamivel. A Z-RAM a SOI-technológia egyik mellékhatásának ad funkciót, vagyis a félvezető és az alatta meghúzódó szigetelő közötti töltésnek, melyet lebegőtestes jelenségnek hívunk. Ez a járulékos töltés képes tárolni egy bitet.

Az Z-RAM technológia első licencelője az AMD volt, még 2006 elején, de konkrét elképzelésekről azóta sem hallani a vállalat felől. Legkorábban az évtized vége felé jelenhetnek meg a SRAM-ot legalább részben (például a harmadszintű gyorsítótárnál) felváltó Z-RAM gyorsítótárral tervezett processzorok. A cache sűrűségének növelésére az IBM saját eDRAM (beágyazott DRAM) technológiát fejleszt, mely lehetővé tenné a logikával egy szilíciumlapkára integrálást, és hatalmas, a SRAM-hoz képest háromszor nagyobb tárak integrálását -- a vállalat 24-48 megabájtról beszélt 45 nanométeres csíkszélességű eljáráson.

Alkalmazott AI meetup és agilis fejlesztői meetup a módszertanok dzsungeléből, szeptember 24-25-én.