Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Az Intel korszerűsíti arizonai félvezetőgyárát

Barna József, 2003. február 19. 09:42
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

Az Intel a tegnap kezdődött Intel Developer Forum rendezvényen jelentette be, hogy újabb félvezetőgyárát alakítja át 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletek megmunkálására. A beruházás befejeztével az Arizonában található Fab 12 a vállalat ötödik 300 mm-es gyára lesz.

[HWSW] Az Intel a tegnap kezdődött Intel Developer Forum rendezvényen jelentette be, hogy újabb félvezetőgyárát alakítja át 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletek megmunkálására. A beruházás befejeztével az Arizonában található Fab 12 a vállalat ötödik 300 mm-es gyára lesz.

Az Intel közleménye szerint a jelenleg 200 mm-es wafereket használó chandleri gyár átalakítása mintegy 2 milliárd dollárba kerül majd, és várhatóan 2005 végén fejeződik be. A fejlesztéseket követően az üzemben 65 nanométeres csíkszélességű félvezetők gyártása folyik majd. Bob Baker, az Intel technológiai és gyártási csoportjának igazgatója elmondta, hogy a gyárátalakítás jelentős költségmegtakarítást eredményez hosszú távon.

Az Intelnek jelenleg két 300 mm-es gyára van, egy Hillsboróban (Oregon), egy pedig Rio Ranchóban (Új-Mexikó). Két további üzem jelenleg is épül: az új oregoni gyár még az idén megkezdi működését, míg az írországi üzemben a jövő év első félévében kezdődhet meg a termelés. A Fab 12 így az Intel ötödik 300 mm-es gyára lesz.

A 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletek használatával jelentősen javítható a félvezetőgyártás hatékonysága. E waferek teljes területe 225 százalékkal nagyobb, mint az általánosan elterjedt 200 milliméteres wafereké, míg körülbelül 240 százalékkal több potenciális chipet tartalmazhatnak.