Szerző: Barna József

2001. december 4. 13:25

Double Gate: új tranzisztortechnológiát jelentett be az IBM

[CNET, IBM] Minthogy a héten kerül megrendezésre az International Electron Devices Meeting (IEDM) szakmai konferencia, a félvezetőgyártási technológiák kutatásában és fejlesztésében élenjáró cégek mostanra időzítették áttörést ígérő bejelentéseiket. Amint arról beszámoltunk, az IBM-mel évtizedek óta rivalizáló Intel a múlt héten jelentette be TeraHertz nevű új tranzisztortechnológiáját, mely a jelenleg használatos szilíciumdioxid szigeteléses tranzisztoroknál jóval kedvezőbb tulajdonságokkal bír, és amely a cég állítása szerint garancia lehet arra, hogy az évtized végéig tartható legyen Moore törvénye. Tegnap továbbá, a piaci szereplők és az elemzők legnagyobb meglepetésére, az utóbbi években csupán a flash memóriák terén innovatívnak mutatkozó AMD is előrukkolt saját tranzisztortechnológiai kutatási eredményeivel: bejelentette, hogy megalkotta a világ leggyorsabb CMOS tranzisztorát. Természetesen az IBM nem hagyta szó nélkül e fejleményeket.

[CNET, IBM] Minthogy a héten kerül megrendezésre az International Electron Devices Meeting (IEDM) szakmai konferencia, a félvezetőgyártási technológiák kutatásában és fejlesztésében élenjáró cégek mostanra időzítették áttörést ígérő bejelentéseiket. Amint arról beszámoltunk, az IBM-mel évtizedek óta rivalizáló Intel a múlt héten jelentette be TeraHertz nevű új tranzisztortechnológiáját, mely a jelenleg használatos szilíciumdioxid szigeteléses tranzisztoroknál jóval kedvezőbb tulajdonságokkal bír, és amely a cég állítása szerint garancia lehet arra, hogy az évtized végéig tartható legyen Moore törvénye. Tegnap továbbá, a piaci szereplők és az elemzők legnagyobb meglepetésére, az utóbbi években csupán a flash memóriák terén innovatívnak mutatkozó AMD is előrukkolt saját tranzisztortechnológiai kutatási eredményeivel: bejelentette, hogy megalkotta a világ leggyorsabb CMOS tranzisztorát. Természetesen az IBM nem hagyta szó nélkül e fejleményeket.

A Nagy Kék ugyanis szintén tegnap jelentette be Double Gate néven új technológiáját, melynek révén a szilícium alapú tranzisztorok sebessége megkétszerezhető, míg méretük a hagyományos tranzisztorok potenciálját jelentősen felülmúlva csökkenthető.


A Double Gate tranzisztor (forrás: IBM)

Amint az a képeken is látható, a Double Gate tranzisztor a hagyományos tranzisztorokhoz képest térben 90 fokkal (azaz az oldalára) el van forgatva, a forrás (source) és az elektródanyelő (drain) pedig egy terelőszárnyra vagy uszonyra (fin) hasonlító szilíciumlapon kapott helyet, melyet satuszerűen fog közre a vezérlőelektróda (gate). Ez a struktúra pedig egy SOI (silicon on insulator) rétegen ül.

Bijan Davari, az IBM Microelectronics félvezetőgyártási fejlesztésért felelős alelnöke szerint a Double Gate tranzisztorok remekül alkalmazhatóak nagy teljesítményű vagy rendkívül alacsony fogyasztású processzorokban. A cég már elkészítette a tranzisztor mintapéldányait, és azt reméli, hogy az általa gyártott chipekben már 2006-ban megjelenhet a technológia. Davari azonban hozzátette, hogy minthogy az évtized előttünk álló éveiben minden gyártó számára kulcskérdés, hogy milyen technológiák révén tud megküzdeni a szilícium alapú félvezetőgyártás egyre fenyegetőbb korlátaival, az IBM a korábbi gyakorlattal összehasonlítva kevésbé lesz liberális az új technológiák licencelésekor.

Nagyon széles az a skála, amin az állásinterjú visszajelzések tartalmi minősége mozog: túl rövid, túl hosszú, semmitmondó, értelmetlen vagy semmi. A friss heti kraftie hírlevélben ezt jártuk körül. Ha tetszett a cikk, iratkozz fel, és minden héten elküldjük emailben a legfrissebbet!

a címlapról