Elkészült az Intel beágyazott MRAM fejlesztése
Az Intel FinFET-alapú MRAM fejlesztés bár remek paraméterekkel rendelkezik, ezekhez továbbra is szerény kapacitássűrűség társul.
Készen áll a tömegtermelésre az Intel beágyazott MRAM fejlesztése. A chipgyártó szerint nem felejtő, magnetorezisztív memóriája remek karakterisztikákkal rendelkezik. A memória 200 Celsius-fokos hőmérséklet mellett akár 10 évig is képes lehet megőrizni adattartalmát, a programozási ciklusokból pedig több mint 106-t visel el. Ugyancsak említésre méltó, hogy az Intel kiváló kihozatali mutatóval dicsekszik, az elkészült memóriaszeletek 99,9 százaléka hozza a várt minőséget. A 22 nanométeres 22FFL eljárással gyártott beágyazott MRAM-mal a 3D XPointhoz hasonlóan a DRAM-ot és a NAND-ot egyszerre lehet kiváltani.
Bár az Intel fejlesztése remek tulajdonságokkal bír, a beágyazott MRAM szelet kapacitása rendkívül szerény, mindössze 7 megabites (875 kilobájt). A korábban bemutatott tesztlapkába nyolc ilyen egységet pakolt az Intel amely 7 megabájtos tárhelyet eredményezett. A chipgyártó egy négyzetmilliméter területen jelenleg bruttó 10,6 megabites kapacitás tud kiépíteni. Ehhez képest a lényegesen lassabb és sokkal kevésbé strapabíró 3D NAND-ból egységnyi területen már 4 gigabit, azaz az Intel MRAM-jának közel négyszázszoros kapacitása is könnyen kialakítható.
A magnetorezisztív RAM a rég elfeledett ferromágneses memóriához hasonlóan elektromos töltések helyett mágneses mezőt használ az adatbitek tárolására. Az MRAM "nem felejt", azaz kikapcsolás után is megőrzi a tartalmát, miközben írási és olvasási sebessége a cache memóriaként is használt villámgyors SRAM-okéval vetekszik, lényegesen felülmúlva mind a flash, mind a DRAM chipekét. Az MRAM-nak további előnye, hogy élettartama szinte végtelen hosszú, ellentétben például a flash chipekével (vagy akár az Intel-Micron 3D XPointtal), melyek csak korlátozott számú írás-olvasási ciklust bírnak ki.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
Összességében tehát, bár az MRAM egyes paraméterei lehetővé teszik, hogy hosszú távon méltó utódja legyen a DRAM-nak (és a flash memóriának), mint oly sok technológia esetében, a magas költségek egyelőre akadályt jelentenek a magnetorezisztív megoldásnak. Ezzel természetesen az Intel is tökéletesen tisztában van, így a beágyazott MRAM-ja leginkább speciális IoT eszközökben, illetve az olykor különleges igényeket támasztó autóiparban kap majd helyet.