Intel: a 7 nanométerrel már nem fogunk megcsúszni

Nagyon elégedett 7 nanométeres félvezetőgyártási eljárásnak fejlesztésével az Intel - mondta Dr. Venkata “Murthy” Renduchintala a Nasdaq befektetői konferenciáján. Az elnök-vezérigazgatói posztra is esélyesnek tartott szakember szerint a 7 nanométeres technológiát egy teljesen külön projekt keretein belül, dedikált csapattal fejleszti az Intel. Renduchintala továbbá (ismét) megerősítette, a fejlesztés EUV, azaz extrém ultraibolya fénnyel dolgozik majd. Bár a technológia komoly befektetéseket kíván, segítségével számottevően csökkenthető levilágítási menetek, ezzel együtt pedig a litográfiás maszkok száma, amely a cég 10 nanométeres problémáinak első számú forrása volt.

Mint utólag kiderült, a 10 nanométeres eljáráshoz párosított elvárások túl agresszívnek bizonyultak, amelyeket a fejlesztőcsapat képtelen volt megugrani az hosszú évek óta alkalmazott 193i (193 nm-es hullámhosszúságú fény) technológiával. Az Intel eredetileg 2,7-es skálázódási tényezőt határozott meg 10 nanométeréhez, vagyis ennyivel nőtt volna a tranzisztorsűrűség 14 nanométerhez képest. Ez agresszívabb, mint korábban, a 14 nanométer például csak 2,4-es tényezőt hozott, a versenytársak pedig sokkal lazábbak, 1,5-2 körüli tényezőkkel dolgoznak. Bár a vállalat ezt egyelőre nem erősítette meg, egyes források szerint végül kénytelen volt lejjebb csavarni a skálázódáson, a több éves csúszással, 2019 második felére ígért 10 nanométer a korábban megcélzottnál kisebb mértékben növeli majd a tranzisztorsűrűséget.

Renduchintala szavai alapján 7 nanométeréhez már egy fokkal óvatosabban áll vállalata, ennél egy kevésbé kockázatos, ~2-es skálázódási tényezővel kalkulál a tervezőcsapat, ami az EUV levilágítás bevezetésével kombinálva viszonylag könnyen elérhető célnak tűnik. Az extrém ultraibolya fény bevetésének nagy jelentősége van, az iparág már több mint egy évtizede szemez a költséges, de végső soron elkerülhetetlen EUV technológia bevezetésével. A 13,5 nanométeres hullámhosszú, extrém ultraibolya fény óriási előnye, hogy azzal nagyobb mélységélesség, illetve felbontás mellett lehet áramköröket megrajzolni, mely a csíkszélesség további csökkentésének előfeltétele.

Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.

Renduchintala arról semmit nem árult el, hogy mikor érkezhetnek az első 7 nanométeres Intel chipek, ám tekintve, hogy a 10 nanométeres (igazi) tömegtermelés csak jövőre indul meg, 2020 végénél előbbre nem érdemes számítani. Ezt támasztja alá, hogy a technológiához egy külön üzemet, az arizonai Chandler városában található Fab 42-t készíti fel (pontosabban fejezi be) az Intel. A vállalat még tavaly év elején jelentette be, hogy potom 7 milliárd dolláros beruházással a 7 nanométeres gyártástechnológiára rendezi be régóta üresen porosodó üzemét, amelyben logikai áramkörök, vagyis processzorok készülnek majd, legkorábban 2020-2021 környékén.

Ahogy tranzisztorsűrűségben, úgy az EUV bevezetésében is lemaradt az Intel. A TSMC kvázi bárki számára elérhető 7 nanométere felülmúlja a processzorgyártó tömegtermelésben alkalmazott 14 nanométerét, miközben a Samsung már túl van a próbagyártáson első extrém ultraibolya fényt alkalmazó eljárásával. Bár gyakorlatilag biztosra vehető, hogy az Intel 7 nanométere mindkét konkurens eljárásnál kedvezőbb paraméterrel érkezik majd, a TSMC ugyancsak EUV-t alkalmazó 7 nanométeres fejlesztése már 2020 második negyedévében elrajtolhat. A Samsung ezt követően, 2020 végén vagy 2021 elején dobhatja piacra első 4 nanométeres megoldását, melyet 2022-2023 környékén követhet a nanohuzal-tranzisztorokra (Gate-All-Around) épülő 3 nanométer. Valahova ezek közé landol majd az Intel 7 nanométere, ami szoros verseny ígér a processzorgyártó és annak konkurensei között.

Az Intelhez kapcsolódó hír, hogy az Oregonlive szerint jövő márciusban leteszi a lantot a gyártástechnológiai fejlesztésekért felelős Mark Bohr. Arról csak spekulálni lehet, hogy a vállalatnál 40 éve dolgozó iparági veterán távozásában mekkora szerepet játszott a 10 nanométer hatalmas csúszása, illetve Bohr korábbi, azóta egyértelműen cáfolt nyilatkozata, mely szerint 7 nanométeren még nem terveznek EUV-t alkalmazni. A 14 nanométerrel indult vesszőfutás következményei miatt az Intel a közelmúltban átszervezte félvezetőgyártását, illetve az egyes technológiák kutatásával és fejlesztésével foglalkozó Technology and Manufacturing Group részlegét. A lépés értelmében már önálló egységként működik tovább a kutatást és a fejlesztést (Development), a gyártást és az üzemeltetést (Manufacturing and Operations), illetve az ellátási láncot (Supply Chain) működtető részleg.