Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Új gyártástechnológiai fejlesztésekről számolt be az IBM, az AMD és az Intel

Bodnár Ádám, 2005. december 08. 15:08
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

Az International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen a jelentős félvezetőgyártók közül az IBM és az AMD, valamint az Intel is előrukkolt gyártástechnológiai újdonságokkal, amelyek meghatározóak lehetnek a jövő processzorait illetően.

[HWSW] Az International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen a jelentős félvezetőgyártók közül az IBM és az AMD, valamint az Intel is előrukkolt gyártástechnológiai újdonságokkal, amelyek meghatározóak lehetnek a jövő processzorait illetően.

Feszített szilícium az AMD 65 nanométeres technológiájában

A chipgyártásban használatos technológiákon évek óta együtt dolgozó IBM és AMD két olyan áttörésről számolt be, amelyek segítségével a 65 nanométeres csíkszélességű alkatrészek teljesítménye növelhető, fogyasztása csökkenthető. Mindkét eljárás a szilícium "feszítésével" (straining) kapcsolatos, és lehetővé teszi az elektronok gyorsabb, akadálymentesebb áramlását a félvezetőkben. Az IBM és az AMD szerint az eljárás segítségével elméletileg akár 40 százalékkal is csökkenthető a fogyasztás.

A vállalatok csak azért beszélnek elméleti adatokról, mivel az újfajta technológia bevezetése nélkül gyakorlatilag lehetetlen lenne kereskedelmi forgalomba kerülő chipeket gyártani azok túlzott fogyasztása miatt, így nem áll rendelkezésre valós referencia. Az AMD már korábban is kísérletezett feszített szilíciummal, azonban gyártástechnológiai problémák miatt végül a tömegtermelésben sosem vezette be az eljárást. Az Intel már a 90 nanométeres gyártástechnológiájában is alkalmaz feszített szilíciumot.

Az AMD jövőre kezdi meg a 65 nanométeres csíkszélességű technológia bevezetését a tömegtermelésben, elsőként a drezdai Fab 36 üzemében, ami azt jelenti, hogy a 65 nanométeres AMD-chipek legkorábban 2006 végén jelenhetnek meg a boltok polcain. Ez az ütemterv némileg csalódást okozhat a várakozásokhoz képest: az Intel első 65 nanométeres termékei a legújabb hírek szerint akár már idén elérhetők lehetnek, tehát a vállalatnak legkevesebb fél, de akár egy éves előnye is lehet technológiai téren az AMD-vel szemben.

Az Intel a távolabbi jövőbe tekint

Szintén az IEDM-en az Intel arról számolt be, hogy elkészültek a brit QinetiQ céggel közösen kifejlesztett indium-antimonid tranzisztorok újabb, fejlettebb prototípusai. A kutatók szerint az ún. kvantumfolyam eljárárással azonos sebességnél akár tizedére csökkenthető a fogyasztás, azonos fogyasztás mellett pedig háromszorosára növelhető a tranzisztorok sebessége. Ken David, az Intel anyagkutatási vezetője szerint ezek a tranzisztorok akár 0,5 voltos feszültséggel is működőképesek, frekvenciájuk pedig elérheti a 300 GHz-et is.

Az ún. kvantumfolyam-tranzisztor működési elvét tekintve jelentősen eltér a mai tranzisztoroktól, ugyanis állapotát nem az elektronok áramlása, hanem azok állapota határozza meg. A kvantumfolyam-tranzisztorok alapértelmezésként be vannak kapcsolva, kapujukra negatív feszültséget vezetve pedig kikapcsolhatók. Az Intel szerint az indium-antimonid azon anyagok egyike, amelynek felhasználását fontolgatják a távolabbi jövőben gyártásra kerülő alkatrészek esetében.

A most elkészített tranzisztorok kapuhossza mindössze 85 nanométer, amely egyelőre nagyobb a ma tömegtermelésben alkalmazott legkisebb tranzisztorokénál, azonban az új eljárást az Intel legkorábban 2015 körül, a 32 nanométeres csíkszélességű alkatrészeknél vezetné be, tehát a mérnököknek még va idejük a tökéletesítésre. A két cég által legutóbb bemutatott hasonló tranzisztor még 200 nanométeres kapuhosszúsággal rendelkezett.