Intel: arccal az extrém ultraviola litográfia felé

Az Intel ma bejelentette, hogy egy Exitech gyártmányú extrém ultraviola (EUV) fotolitográfiai berendezést telepített az oregoni Hillsboróban található chipgyárában, ahol a legújabb generációs félvezetőgyártási technológiák fejlesztése zajlik. A készülék 13,5 nanométeres ultraviola -- másképp ultraibolya -- fényt bocsát ki, amelynek segítségével 30 nanométer szélességű minták hozhatók létre a szílíciumlemezeken.

Az EUVL használatával a jelenleginél lényegesen kisebb méretű minták hozhatók létre a szilíciumlemezeken, így csökkenthető a félvezető áramkörök mérete, illetve növelhető az adott helyen elhelyezett alkatrészek száma, ami végeredményben nagyobb teljesítményű chipek létrehozását teszi lehetővé.

Az extrém ultraviola litográfia alkalmazásához speciális, 10-70 nanométer hullámhosszúságú fény kibocsátására alkalmas fényforrásra, valamint az ilyen hullámhosszúságú fény visszaverésére alkalmas tükrökre van szükség. A jelenlegi, kísérleti EUVL rendszerek az USA csillagháborús programjának keretén belül kikísérletezett fényforrásokra épülnek.

Az EUVL használata azonban igencsak költséges szórakozás, ugyanis a levilágítás csak vákuumban történhet, mivel bármilyen apró porszemcse megzavarja a folyamatot. Az EUVL esetén a fényt nem áteresztő, hanem 40 réteg szilíciumot és molibdént tartalmazó speciális tükrök segítségével irányítják a szilíciumlemezekre. Az EUVL berendezések ára a kezdetekben tízmillió dollár fölött is lehet.

A világ legnagyobb chipgyártójának közleménye szerint az EUV technológiát sorozatgyártásban a 32 nanométeres csíkszélességű alkatrészek esetén alkalmazza először, amelyek megjelenése 2009 környékén esedékes. "Az EUVL nem csak az Intel egyedi megoldása, azonban számításaink szerint a vállalatok nem egyszerre vezetik majd be. Azonban ha mi alkalmazzuk először és évekig egyedül, jelentős versenyelőnyre tehetünk szer" -- mondta Sunlin Chou, az Intel gyártástechnológiáért felelős vezetője.