Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Az Intel felgyorsítja a 90 nanométeres technológiára való áttérést

Bodnár Ádám, 2003. január 15. 13:41
Ez a cikk több évvel ezelőtt születetett, ezért előfordulhat, hogy a tartalma már elavult.
Frissebb anyagokat találhatsz a keresőnk segítségével:

Az Intel tegnap, a negyedik negyedéves eredmények ismertetésekor egy jó és egy rossz hírt is közölt a gyártástechnológiai fejlesztéseivel kapcsolatban. A vállalat egyrészt bejelentette, hogy 2003-ban a tavalyinál 1 milliárd dollárral kevesebbet költ tőkeberuházásra, azonban azt is közölte a cég, hogy már az év közepén megkezdi a 90 nanométeres csíkszélességű félvezetőalaktrészek gyártását.

Az Intel tegnap, a negyedik negyedéves eredmények ismertetésekor egy jó és egy rossz hírt is közölt a gyártástechnológiai fejlesztéseivel kapcsolatban. A vállalat egyrészt bejelentette, hogy 2003-ban a tavalyinál 1 milliárd dollárral kevesebbet költ tőkeberuházásra, azonban azt is közölte a cég, hogy már az év közepén megkezdi a 90 nanométeres csíkszélességű félvezetőalaktrészek gyártását.

Az Intel a tervek szerint az idén körülbelül 3,5-3,9 milliárd dollárt költ félvezetőgyártó üzemek építésére és korszerűsítésére. Tavaly a cég beruházásai 4,7 milliárd dollárt tettek ki. Andy Bryant pénzügyi vezérigazgató közölte, hogy a tőkeberuházási keret mintegy 90 százalékát a 90 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia bevezetésére fordítják.

Korábban az Intel még arra számított, hogy csak az év második felének végén vezetheti be 90 nanométeres gyártástechnológiáját, azonban úgy tűnik, a vállalat ezt a vártnál korábban teheti meg. "Reményeink szerint 2003 közepére már teljesen elkészülünk 90 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiánkkal" -- mondta Paul Otellini, az Intel elnöke. "A Prescott és Dothan processzorok tervei már készen állnak." A Prescott és a Dothan kódnevű chipek lesznek az első 90 nanométeres csíkszélességű alkatrészek, amelyeket sorozatban gyárt a cég.

Az új, P1262 kódnevű, 90 nanométeres félvezetőgyártási technológia többek között magában foglal a korábbinál nagyobb teljesítményű és alacsonyabb fogyasztású tranzisztorokat, "feszített szilíciumot", nagy sebességű rézalapú átkötéseket és egy új, kis k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelési technológiát. Az Intel a világon elsőként alkalmazza ezen eljárásokat egy gyártási technológián belül.

Az eljáráshoz a világ legnagyobb félvezetőgyártója 248 és 193 nanométeres hullámhosszú litográfiai berendezéseket használ majd. A várakozások szerint a 130 nanométeres csíkszélességű gyártásban alkalmazott berendezések mintegy 75 százalékát az új gyártástechnológiában is alkalmazni lehet, amivel jelentős költségmegtakarítás érhető el.

A 90 nanométeres gyártástechnológiát elsőként az Intel D1C gyárában vezetik be, majd a jövő év kezdetén a vállalat további üzemeiben is alkalmazni kezdik. Az Intel tervei szerint 2003 végére három gyára állít majd elő 90 nanométeres alkatrészeket 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletek felhasználásával.

Az új technológiát elsőként a következő generációs, Prescott magos Pentium 4 processzorban, valamint a még meg sem jelent, Banias kódnevű mobil chip utódának, a Dothannak az előállításánál alkalmazza az Intel. A Prescott a cég termékterve szerint az év második felében kerül piacra, a Dothan megjelenéséről azonban egyelőre nincs információ.