Az Infineon új beágyazott DRAM technológiát fejlesztett ki

[Semiconductor Business News] Az Infineon ma bejelentette, hogy elkészült legújabb beágyazott DRAM (embedded DRAM, eDRAM) technológiájának kifejlesztésével.

A C10DD0 kódnevű eljárás lehetővé teszi 0,17 mikronos csíkszélességen alapuló áramkörök építését, legfeljebb 256 megabit beágyazott DRAM-mal. Az így elkészített chipek maximálisan 166 MHz-en képesek üzemelni, a beágyazott memória busza legfeljebb 2048 bites lehet.

Csak emlékeztetőként: a finn Bitboys régóta ígérgetett chipje az Infineon-nal közösen szabadalmaztatott eDRAM technológián alapul. Lehetséges, hogy a kezdeti "nehézségek" után végre valami kézzelfoghatóval is előrukkol a fantom-chiptervező?