Elkészült a Samsung 5 nanométerének fejlesztése

Elkészült 5 nanométeres gyártástechnológiájának fejlesztési munkálataival a Samsung - derül ki a vállalat közleményéből. A dél-koreai gyártó eljárása ezzel immár készen áll, hogy az érdeklődő partnerek arra lapkákat tervezzenek, ezt követően pedig megindulhasson a különféle chipek próbagyártása. A Samsung 5 nanométeres eljárása viszonylag szerény fejlődést ígér az idén tömegtermelésbe álló 7 nanométerhez képest: tranzisztorsűrűségben mindössze 25, disszipációban legfeljebb 20, órajelben pedig maximum 10 százalékos lehet az előrelépés. A technológiára épülő első chipek várhatóan valamikor a jövő év második felében kerülhetnek piacra.

Az 5 nanométer alapját az idei évre datált 7 nanométer adja, amely a TSMC-vel folytatott versenyfutás eredményétől függően akár a piac első tömegtermelésbe kerülő EUV-s fejlesztése is lehet. Első körben a rendkívül költséges eljárást csak bizonyos, kritikus fontosságú rétegek kialakításának alkalmazza gyártó, a többi layer a jól bevált 193i (193 nm-es hullámhosszúságú fény) levilágítással készül. 5 nanométeren további rétegeket vonhat be az EUV-s gyártásba a Samsung, így javítva a főbb paramétereken, azok közül is elsősorban a tranzisztorsűrűségen.

Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.

A már említett, 25 százalékos javulás azonban vélhetően kevés partnert győz majd meg a váltásról, pláne annak tükrében, hogy a konkurens TSMC hasonló viszonylatban 80 százalékot ígér. A pontos összevetést azonban nehezíti, hogy a tajvani bérgyártó az EUV-t nélkülöző 7 nanométeréhez viszonyítja fejlesztését, amely elmarad a Samsung EUV-s 7 nanométerétől. A dél-koreai gyártó és a TSMC fejlesztése hasonló időszakban, jövő év második felében kerülhet piacra, így legkésőbb akkor derülhet ki, hogy a két eljárás közül a gyakorlatban melyik rendelkezik kedvezőbb paraméterekkel.

Utóbbitól függetlenül a Samsung 2021-re datált 3 nanométere nagyobb siker lehet majd, az ugyanis elsőként alkalmazza a FinFET technológiát leváltó GAA-t (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal-tranzisztort. A Gate-All-Around a FinFET-nél valamelyest kedvezőbb elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, miközben a skálázhatóságot számottevően kitolja. Utóbbinak hála tovább csökkenthető a csíkszélesség, nanohuzal tranzisztorokkal 5 nanométer alá is be lehet menni, egységnyi területre még több tranzisztort besűrítve. Ennek tükrében nem lenne meglepő, ha a 7 nanométerre nagyban építő partnerek (pl. Nvidia) nagyobb része az 5 nanométert kihagyva inkább a 3 nanométerre ugrana majd.