Memrisztorra épülő termékeket dobna piacra a Western Digital
Befejeződött a 3D ReRAM névre keresztelt memória fejlesztése, karnyújtásnyira a Western Digital válasza az Intel-Micron 3D XPointjára.
Kézzelfogható közelségbe kerülhet az első memrisztorra épülő piaci termék, a Western Digital ugyanis bejelentette, hogy elkészült 3D ReRAM fejlesztési munkálataival. A megoldást kimondva-kimondatlanul az Intel-Micron blokk 3D XPointja ellen szánnák, tehát hosszútávon ez is a különálló rendszermemória és háttértár, azaz a DRAM-NAND kettős leváltására hivatott.
A vállalat egyelőre nem bocsátkozott mélyebb részletekbe a ReRAM-mal kapcsolatos terveit illetően, egyelőre annyit tudni, hogy első körben SCM (Storage Class Memory) termékekhez szeretnék felhasználni a memóriát. Az ilyen, jellemzően vállalati környezetben alkalmazott fejlesztések a rendszermemória és háttértár szerepét egyesítik a DRAM-nál nagyobb kapacitással (olcsóbban), a NAND-nál pedig gyorsabb, nem volatilis (nem felejtő) megoldásban.
A prezentáció során a vállalat elmondta, hogy a ReRAM gyártása és (tovább)fejlesztése során számos, a NAND-oknál alkalmazott alapvető technológiát és eszközt tudnak felhasználni, ezzel pedig mérsékelhetik az úttörő megoldások esetében jellemzően igen magas kiadásokat. Sokat segíthet például a rétegzés, a 3D NAND-oknál megismert módon a cellák több, úgynevezett layerben fekszenek egymáson egyetlen szilíciumlapkán belül. A módszerrel növelhető a bitsűrűség, ezzel pedig egységnyi tárterület gyártási költsége jelentősen csökkenthető.
A Western Digital egyelőre nem beszélt arról, hogy az első termékek hány réteggel érkeznek. A cég jelenleg úgy számol, hogy 6-7 év alatt a jelenlegi kétszeresről hússzorosra növelhető egységnyi kapacitású DRAM és SCM (azaz 3D ReRAM) előállítási költségének különbsége, a 3D NAND (BiCS) gyártási költségének jelenlegi szintjét pedig nagyjából 2022 környékén érheti el az új fejlesztés.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
A vállalat egyelőre arról sem beszélt, hogy pontosan mikorra várhatóak az első 3D ReRAM-alapú termékek, de a szűk szavú közleményből arra lehet következtetni, hogy jó esetben még legalább egy év kellhet a piaci rajthoz. A Western Digitálnak nincs vesztegetni való ideje, a konkurens 3D XPoint technológiára épülő termékek már a küszöbön vannak. Az Intel Optane SSD meghajtóinak első hulláma már az év végén megérkezhet, a partner Micron pedig jövő év közepére ígéri a QuantX termékek első tagjait.
Memrisztor? ReRAM? Western Digital?
A memrisztor (memória rezisztor) a kondenzátor, az ellenállás, és az induktor mellett a negyedik áramköri alapelem. A titulust azzal érdemelte ki, hogy változó ellenállást mutat az áram erőssége és iránya függvényében, ráadásul képes az adott ellenállási jellemzőket az elektromos áram megszűnését követően megőrizni, mivel az anyag vezetési tulajdonsága is megváltozott. Ez azt jelenti, hogy ez a típusú áramköri ellenállás emlékszik, milyen jelet kapott utoljára, vagyis memóriaként is használható - a NAND-dal ellentétben töltést nem tárol el. Az egyedülálló képességet a másik három alapelem semmilyen kombinációjával nem lehet reprodukálni.
Az Intel-Micron szövetség által preferált 3D XPoint bizonyos szempontból hasonlít erre. A PRAM-ra hajazó megoldás szintén szakít a hagyományos megközelítéssel, ám a ReRAM-hoz viszonyítva alapvető különbség, hogy ez a hordozóanyag kristályszerkezetének átalakulásával változó vezetési tulajdonság jelenségére épít - egy bizonyos, megfelelő áramerősséggel elért hőmérséklet felett kristályosodni kezd az anyag, amit kihűlést követően megőriz, a "törléshez" pedig ismét fel kell hevíteni, ezúttal olvadási pontig. A két állapot eltérő elektromos ellenállással rendelkezik, amelyhez bináris érték rendelhető, így például a nagyobb ellenállást eredményező amorf jelentheti az 1-est, az alacsonyabb ellenállású kristályos állapot pedig a 0-t. Az egyes állapotok fenntartásához itt sem szükséges elektromos töltés.
Míg az említett Intel-Micron a fázisváltáson alapuló PRAM, addig a HP a memrisztorokból épülő ReRAM mellett tette le a voksát sok évvel ezelőtt. Utóbbi technológia leírása még 1971-ből származik, a vállalat pedig 35 évvel később, 2006-ban szánta rá magát, hogy bebizonyítsa, az elmélet gyakorlatba is átültethető. Mivel a HP nem memóriagyártó, így nem is rendelkezik félvezetőgyártással, kutatásainak gyakorlatba ültetéséhez partnerre volt szüksége a memóriaiparból. Ehhez 6 évvel ezelőtt a Hynix-szel szövetkezett a cég, ám az együttműködés mindeddig nem hozott piacképes terméket.
A vállalat valószínűleg ezért jelentett be tavaly októberben egy új kooperációt, ekkor a HP a SanDiskkel állt össze, hogy a két cég kutatás-fejlesztési, illetve gyártástechnológia terén szerzett tapasztalatait kombinálva közösen fejlessze az új félvezető-alapú tárolási technológiát. Talán épp ez adta meg az utolsó lökést a Western Digitalnak, aki egy héttel később bejelentette, hogy felvásárolja a SanDisket. Több értékes NAND-alapú fejlesztés mellett végül így juthatott hozzá a jövő egyik ígéretes memóriájához is a merevlemezgyártó.