Az IBM és az Infineon közösen dolgozik egy új mágneses memória-technológián
[Electic Tech] Az IBM és az Infineon AG tegnapi közös sajtóközleményükben arról számoltak be, hogy együtt dolgoznak egy forradalmian új memória-technológián. Az MRAM (Magnetic Random Access Memory) elektromos töltések helyett mágneses töltéseket használ az egyes bitek tárolására (ha jól meggondoljuk, ez egyáltalán nem új elgondolás); így a tárolt információ a gépek kikapcsolása után sem vész el, és ezáltal lehetővé válik a hordozható készülékek akkumulátora élettartamának növelése valamint az ún. instant-on funkció kihasználása PC-ken is (azaz mint a régi szép C64-es időkben, nem kellene várni az operációs rendszer felállására).
[Electic Tech] Az IBM és az Infineon AG tegnapi közös sajtóközleményükben arról számoltak be, hogy együtt dolgoznak egy forradalmian új memória-technológián. Az MRAM (Magnetic Random Access Memory) elektromos töltések helyett mágneses töltéseket használ az egyes bitek tárolására (ha jól meggondoljuk, ez egyáltalán nem új elgondolás); így a tárolt információ a gépek kikapcsolása után sem vész el, és ezáltal lehetővé válik a hordozható készülékek akkumulátora élettartamának növelése valamint az ún. 'instant-on' funkció kihasználása PC-ken is (azaz mint a régi szép C64-es időkben, nem kellene várni az operációs rendszer felállására).
Az IBM már 1974-ben kifejlesztette a mágneses mátrix technológiát, mely azonban adatok tárolására szolgáló MRAM chipekben csak 1998-ban került felhasználásra. Most a cég azt reméli, hogy a nagy sűrűségű félvezetők gyártásában élenjáró Infineonnal karöltve előállított MRAM 2004-re valós alternatívát kínál majd a jelenleg használatos dinamikus és statikus memóriamodulokkal, illetőleg a flash memóriákkal szemben.
