Új generációs V-NAND chipek gyártásába fogott a Samsung
Megkezdte az első 3 bites V-NAND flash memóriák sorozatgyártását a Samsung - az új generációs lapkák előállítása a vállalat szerint jóval hatékonyabb a korábbiaknál. Egyelőre nem tudni mikor érkeznek a cég első, az új chipekkel felszerelt SSD-i.
Új generációs V-NAND flash memória gyártásába kezdett a Samsung. A gyártó szerdán jelentette be, hogy elsőként nála kerülnek a gyártósorokra 3 bites MLC (multi-level-cell) technológiát használó tárolók.
A 3D NAND néven is ismert V-NAND vagy Vertical NAND technológiával függőlegesen rétegzett chipek hozhatók létre, ez a szerkezet pedig kevesebb interferenciát eredményez a környező cellák között. Utóbbi nem csak a memória sebességét növeli, hanem az egyes chipek élettartamára is jótékony hatással van. A gyártó első generációs 3D-NAND SSD-i 24 réteges lapkákkal dolgoztak, a jelenleg alkalmazott speciális maratásos eljárással a gyártó azonban már 32 réteget is képes egymásra helyezni. Ez a megoldás egyébként nem a 3 bites chipekkel mutatkozik be először, a Samsung már májusban leleplezett ilyen meghajtókat. A rétegzett felépítés a chipek méretében nem jelent nagy különbséget, a cég szerint azok mindössze néhány mikronnal vastagabbak a hagyományos NAND lapkáknál.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
Noha a 32 réteg már nem jelent újdonságot, 3 bites cellák most először kerülnek V-NAND lapkákba, azokban eddig legfeljebb 2 bites darabokat láthattunk. A 3 bites technológia előnye a megnövekedett adatsűrűségből adódó nagyobb tárolókapacitás, illetve a hatékonyabb gyártási folyamat, amely egyben az ilyen chipekkel felszerelt tárolók előállítási költségeit is segíthet alacsonyan tartani, így azok bitenként jóval kedvezőbb áron kerülhetnek forgalomba.
Azt egyelőre nem tudni, hogy a vállalat pontosan mikor dobja piacra a chipeket tartalmazó első SSD-ket, és hogy azok kapacitása mekkora lesz, a tárolókkal ugyanakkor első körben valószínűleg a vállalati felhasználókat veszi majd célba. A Samsung szerint a vertikálisan rétegzett technológia nem csak teljesítmény, de energiahatékonyság terén is komoly előrelépést jelent. A gyártó továbbá úgy véli, a nagy adatsűrűséggel dolgozó újfajta 3 bites V-NAND SSD-k felgyorsítják majd a flash-tárolók elterjedését, párhuzamosan a hagyományos merevlemezek visszaszorulásával. Az ugyanakkor még jó időbe telhet mire a mozgó alkatrészt nem tartalmazó tárolók kapacitás terén utolérik a mára 8-10 terabájtos méretet is elérő HDD-ket.