IBM: egy lépéssel közelebb a racetrack memóriához
Az IBM kutatói újabb lépéssel közelebb kerültek a merevlemezek hatalmas kapacitását és a flash memória nemfelejtő képességét, alacsony fogyasztását és gyorsaságát egyesítő "racetrack", azaz versenypálya fantázianevű memória tömegtermeléséhez.
Az eszköznek nevet adó versenypálya valójában nanovezetékek milliárdjaiból áll, amelyek egyenként több száz bitnyi adat tárolására képesek - az adatok nem tranzisztorokba zárt elektromos töltésként vannak jelen mint a flash memória esetében, hanem a nanovezetékek mágneses doménfalaiban. Az IBM kutatói rájöttek, hogyan lehet a doménfalakat manipulálni, felhasználva a spinpolarizált elektronok és a doménfal mágneses terének kölcsönhatását. A nanovezetékbe áramot vezetnek, amely a vezetéken végigszáguldva lényegében maga előtt tolja a doménfalakat, amelyek az adatbiteket jelentik. Írásnál és olvasásnál a doménfalak a vezeték mentén végigfutnak a fix író- és olvasó fejekig, mintha csak autók mennének végig egy versenypályán a célig.
A memória írásához és olvasásához elengedhetetlenül szükséges a doménfalak pontos pozicionálása, ehhez azonban ismerni kell a doménfalak gyorsulását és lassulását. "Felfedeztük, hogy a doménfalak az áram bekapcsolásakor még nem érik el a csúcssebességüket és hogy pontosan ugyanannyi idő és távolság kell a lelassulásukhoz mint a felgyorsulásukhoz" - mondta Dr. Stuart Parkin, az IBM Almaden kutatólabotatórium egyik vezetője, a racetrack projekt tudományos irányítója. "Ezt korábban nem tudtuk, egyrészt mert nem volt bizonyított hogy a doménfalaknak van-e tömege és hogy a gyorsulás és lassulás hogyan hat egymásra. Ma már tudjuk, hogy lehet a doménfalakat az áramimpulzusok hosszának változtatásával precízen pozicionálni."
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
A legnagyobb kapacitássűrűség és sebesség elérése érdekében a doménfalakat több száz kilométer/órás sebességgel kell mozgatni és atomi pontossággal kell pozicionálni a néhány mikrométeres pályán. Mivel a nanovezetékek rendkívül kicsik, a racetrack kapacitássűrűsége az IBM szerint két nagyságrenddel nagyobb lehet a flash memóriánál, ráadásul a technológia nélkülözi a flash fáradását, a racetrack végtelen sokszor írható és olvasható, miközben az írási és olvasási sebesség a jelenlegi DRAM-okéhoz hasonló.
Az IBM kutatói hat éve fejlesztik a racetrack memóriát, amelyről elsőként 2008-ban publikáltak. A most közzétett tudományos felfedezésről a Science magazin decemberi számában lehet olvasni. A vállalat tervei szerint a racetrack elsőként NAND flash memóriát válthatja fel, de később akár a DRAM-ot is helyettesítheti