Újabb áttörés a merevelemezek adatsűrűségében, ezúttal a TDK-tól
[Nikkei Electronics/HWSW] A merevlemezek kapacitása szakadatlanul növekszik, ahogyan a mérnökök újabb és újabb trükkökkel tolják ki a rögzítési technológia határait. A legújabb rekordot a TDK mutatta fel a CEATEC-en minden korábbinál nagyobb, a jelenleg kapható meghajtóknál háromszor magasabb kapacitássűrűséggel.
A TDK egy már ismert és alkalmazott, úgynevezett tunneling magneto-resistive (TMR) rögzítési technikával ért el 803 gigabit kapacitást egy négyzethüvelyknyi területen (6,4516 négyzetcentiméter). Ez az eredmény magasan felülmúlja a Hitachi által alig két hónapja bejelentett 610 gigabit/négyzethüvelyk sűrűséget, mely esetben továbbfejlesztett merőleges rögzítési technikát alkalmaztak. Egyik technológia sem érett azonban kereskedelmi alkalmazásra, egyelőre csak működőképességüket demonstrálták a vállalatok. A tömegtermelésben lévő termékek kapacitássűrűsége jelenleg 250 gigabit/négyzethüvelyk körül alakul.
A TDK technológiájával elméletileg akár 260 gigabájtnyi adatot is rögzíthetünk egyetlen kétoldalú, 1,8 hüvelykes tányérra, miközben egy 2,5-esre 500 gigabájt, egy 3,5-es tányérra pedig közel 1 terabájtnyi adat férne. A fej és a rögzítési felület ferromágnesekből állnak, a fejen pedig egy magnéziumoxid szigetelőréteg található. A TDK szerint akár az 1 terabites sűrűség is elérhető a meglévő technikák továbbcsiszolásával, így jópár évvel kitolható a jelenleg TMR-egységek technológiájának alkalmazása. Három évvel ezelőtt, a TMR kereskedelmi alkalmazásakor úgy gondolták, 300 gigabit/négyzethüvelyk sűrűségig lehet kitolni a technológia határait.
A TDK 56 nanométeres sávtávolságot ért el. A Hitachi véleménye szerint 50 nanométer alatt távolsághoz már úgynevezett CPP-GMR (Current-Perpendicular-to-Plane Giant Magneto-Resistance) fejegységekre lesz szükség, melyekkel 2011-re 1 terabájt feletti notebook, és 4 terabájt feletti asztali merevlemezeket állítanak majd elő, és a 30 nanométeres sávtávolság is elérhető lesz.
A Giant Magneto-Resistance (GMR), vagyis az óriás mágneses ellenállás fizikai jelenségéért 2007-ben kapott fizikai Nobel-díjat Albert Fert és Peter Grünberg. Az óriás jelző arra utal, hogy a hagyományos ferromágneses anyagokénál jóval nagyobb elektromos ellenálásváltozást lehet elérni, vagyis gyengébb, fizikailag kisebb méretű elemből származó mágneses teret is erőteljesen lehet elektromosan érzékelni. Az óriásmágneses hatást ferromágneses és nem mágneses anyagok rétegelésével lehet produkálni.