Intel: három-az-egyben memóriamodul mobiltelefonok számára

Ron Smith

[Mmd] Az Intel bemutatta StrataFlash Wireless Memory System megoldását, amelyet kifejezetten azokhoz a következő generációs telefonkészülékekhez készítettek, amelyeknél nagy kapacitású memóriára van szükség a beépített alkalmazások adatainak -- például kamerával készített képek, videoklipek vagy zenék -- tárolásához.

Az egyes memóriacellákban tárolható információ mennyiségét megduplázó Intel Multi-Level Cell technológiájára épülő rendszer kódvégrehajtó, adattároló és RAM munkaterületet tartalmaz, azaz mindhárom olyan memóriafunkciót biztosítja, amelyre a mobiltelefonban szükség van. A rendszer a hosszú akkumulátor-élettartam érdekében csupán 1,8 Voltos feszültséggel üzemel, a memóriakapacitás akár 1 GB is lehet. Mindez egyetlen, 8x11 milliméter méretű tokban található, ami egyszerűsíti a telefonok tervezőinek munkáját.

"Az Intel StrataFlash Wireless memóriarendszer kifejezetten a következő generációs készülékekhez készült, amelyeknél gyors tempóban nő az adatfogadási sebesség" -- mondta Ron Smith, az Intel Wireless Communications and Computing csoportjának alelnöke. "Az Intel teljeskörű vezeték nélküli megoldásokat kínál a versenyképes árú memóriarendszerektől a tervezést egyszerűsítő, memória- és logikai termékeket egyesítő termékekig, amelyek nagyobb funkcionalitást kínálnak kis területen, miközben költségmegtakarítást tesznek lehetővé a mobiltelefon-gyártók számára."

Smith a tajvani Intel Developer Forumon tartott mai vitaindító előadásában jelentette be a rendszert. Az új memóriarendszer az Intel negyedik generációs MCL-technológiájára épül. Az Intel StrataFlash Wireless memóriarendszer az Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP) termékvonal legújabb tagja. A különféle kapacitású eszközök egyforma tokozása és az azonos Intel Flash felügyeleti szoftver megkönnyíti az integrációt és a frissítést.

Az Intel StrataFlash Wireless memóriarendszer mintapéldányait jelenleg is gyártja az Intel, a sorozatgyártás várhatóan 2004 februárjában kezdődik. Ára az egyes flash- és DRAM-memóriák kombinációjától függ majd.