Új tranzisztortechnológián dolgozik az Intel
Az Intel tegnap jelentette be, hogy kutatói egy ún. tri-gate (háromkapus) tranzisztorstruktúrán dolgoznak. A vállalat azt is közölte, hogy laboratóriumában elkészítették a tranzisztor 60 nm-es kapuhosszúságú prototípusát.
A tranzisztorok miniatürizálásával egyre nagyobb problémát okoz a szivárgási áram, amely miatt egyre növekszik a chipek hőleadása. A kutatók jó ideje igyekeznek olyan tranzisztorstruktúrákat létrehozni, amelyek alacsonyabb fogyasztás mellett képesek megbízhatóan működni. Az Intel által tavaly bejelentett planáris (réteges felépítésű) TeraHertz tranzisztor is alacsonyabb szivárgási mutatókkal bír, de a vállalatok az utóbbi időben egyre gyakrabban alkalmaznak nem-planáris technológiákat, mint amilyen az IBM által kifejlesztett Double Gate.
Az Intel azonban úgy véli, hogy a riválisok által alkalmazni kívánt tranzisztorok előállítása költséges, teljesítményük pedig nem igazolja a várakozásokat. A cég kutatói ezért egy háromkapus nem-planáris tranzisztort fejlesztettek ki, amely elmondásuk szerint a jelenlegi gyártástechnológiával is előállítható, míg a hasonló kapuhosszúságú planáris tranzisztorokénál 20%-kal jobb teljesítményt nyújt.
A tri-gate tranzisztor alkotóelemei nem rétegszerűen helyezkednek el, hanem három dimenziós struktúrát alkotnak. A double gate tranzisztorhoz hasonlóan a forrás (source) és a nyelő (drain) a szubsztrátból kiemelkedő vezetéken kap helyet, amelyet azonban három oldalán érintve (tri-gate) satuszerűen fog közre a kapuelektróda (gate).
A vállalat egyelőre igyekezett hangsúlyozni, hogy a tri-gate tranzisztor csupán egy kutatási projekt: egyelőre nem tudni, hogy valaha is felhasználják-e a jövőbeni processzorok gyártásánál. Ugyanakkor elemzők úgy vélik, az új technológia máris elavulttá tette a TeraHertz tranzisztort.