A Bell Labs kutatói elektronmikroszkóppal vágnak csapást a Moore-törvény előtt

[CNET] A Lucent Technologies kutatás+fejlesztési részlegének, a Bell Labsnak a tudósai olyan módszert fejlesztettek ki, amely segítségével képek készíthetők a félvezető áramkörök alapjául szolgáló szilíciumban található atomi szennyeződésekről. Szakértők szerint az eljárás kulcsjelentőségű, segítségével biztosítható lesz a szilícium-alapú áramkörök további fejlődése, a Moore-törvény érvényessége.

Az Intel társalapítójáról, Gordon Moore-ról elnevezett törvény szerint egy félvezető áramkör alkatrészeinek száma 18 havonta megkétszereződik, miközben az áramkör mérete durván a felére csökken.

Ez az első eset a világon, hogy kép készült egy atomi szennyeződésről. A Bell Labs szakemberei egy speciális elektronmikroszkópot használtak. A kutatók szerint ezt elérni olyan nehéz, mintha távcsővel szeretnénk Neil Armstrong lábnyomát megnézni a Hold felszínén.

Paul Peercy, a Wisconsin Egyetem professzora szerint az eredmény létfontosságú annak érdekében, hogy atomi szinten megismerhessük a szennyeződések elhelyezkedését a szilíciumkristályokban. "Ezen kívül számos összetett anyag megismerésében hasznunkra válhat" -- mondta.

Ahogy a félvezetők mérete egyre csökken, fontosabbá és fontosabbá válik az alkatrészekben végbemenő fizikai és kémiai folyamatok vizuális megjelenítése és vizsgálata, ugyanis ezek határozzák meg, milyen kicsik lehetnek egy chipben a tranzisztorok vagy a vezetékek -- mondta Elsa Reichmanis, a Bell Labs anyagtudományi kutatórészlegének vezetője.

A szennyeződéseket szándékosan viszik fel a szilíciumra, ugyanis ezek segítségével irányítják az elektronok áramlását. Azonban -- ahogy a Moore-törvény is kimondja -- az alkatrészek mérete egyre csökken, és hamarosan már csak pár atomnyi szennyeződésen múlik egy félvezető áramkör sorsa.

A Bell Labs által kifejlesztett módszer segítségével a tudósok valódi áramkörökben vizsgálhatják és érthetik meg a szennyeződések elhelyezkedését és ezeknek hatásait.