A jövőben három évenként várhatók az új félvezetőgyártási technológiák
A Semiconductor Industry Association (SIA) kiadta a félvezetőgyártásban használatos technológiai útiterv, az International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) legújabb változatát, amely szerint a csíkszélesség-váltások a jövőben 2 helyett 3 évenként követik majd egymást.
Az előző ITRS még kétéves gyártástechnológiai ciklusokról beszélt és 2003-at jelölte meg a 90 nanométeres technológia bevezetésének időpontjaként, a legújabb útitervben azonban már 2004 szerepel. A 65 nanométeres csíkszélesség széles körű elterjedését 2007-re, a 45 nanométeres alkatrészek nagyszámú megjelenését pedig 2010-re várja a most kiadott előrejelzés. A 32 nanométeres technológia 2013-ban jelenhet meg, a 22 nanométeres csíkszélességű alkatrészek pedig 2016-ban kerülhetnek sorozatgyártásba.
"A 2003-as ITRS kialakításakor a legnagyobb problémát az okozta, vajon 2003 vagy 2004 a 90 nanométeres csíkszélességű alkatrészek nagy volumenű gyártásának kezdete" -- mondta Robert Doering, a Texas Instruments gyártástechnológiai fejlesztésért felelős vezetője. "A megegyezés szerint 2004-et választottuk, a jövőben az új technológiák nagyjából 3 évenként követik egymást, ez persze nem jelent szigorú ütemtervet. Az új gyártástechnológiák a jövőben 2-3 évenként váltják majd egymást."
