A Hynix megkezdi a 100 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia bevezetését

A Hynix Semiconductor bejelentette, hogy felkészült a 100 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia bevezetésére. A vállalat közleménye szerint eleinte 512 Mbites DDR-I és DDR-II SDRAM chipeket készít az új technológiával, 2003 második felétől pedig 1 Gbites DDR-II SDRAM chipek gyártását is megkezdi.

Farhad Tabrizi, a vállalat marketingért felelős részlegének vezetője szerint az idei évben legyártott Hynix memóriachipek 20 százaléka már 100 nanométeres csíkszélességgel készül, 2004-ben pedig már 65 százalékos lesz az új technológiával előállított alkatrészek aránya.

A Hynix közleménye szerint a 130 nanométeres csíkszélességhez képest minimális tőkebefektetéssel tudott átállni 100 nanométeres csíkszélességre. A vállalat becslései szerint az új technológia alkalmazásával waferenként 40 százalékkal több die gyártható le, mint a 130 nanométeres technológiával.

A Hynix tegnap tette közzé negyedéves eredményeit. A működéssel nem kapcsolatos egyszeri kiadások miatt a cég a vártnál lényegesen nagyobb, 872,7 millió dolláros veszteséget ért el, miközben a memóriachipek árcsökkenése miatt a forgalma 17 százalékkal csökkent.